脊形波导式半导体激光器件及其制作方法

摘要

脊形波导式半导体激光器件及其制作方法，包括底座和条状脊背，底座以半导体为衬底基片，衬底基片的下层面为下部金属电极层、其上层面依次为下部包被层、下部导波层、激光活性层、上部导波层和上部包被层；条状脊背是在条状包被层上覆盖接触层，其上表层为上部金属电极层；特征是在位于激光活性层之上的包被层中，或在位于激光活性层之下的下部包被层中，或激光活性层本身，具有宽度较之条状脊背更窄、以使通过其间的激光驱动电流值更低的窄带电流限制层，其为不同于所在包被层材质的选择性蚀刻层。本发明既能保持低成本、又能保持激光器的高性能。

主权项

1、脊形波导式半导体激光器件，层状结构，包括底座和条状脊背，所述底座以半导体为衬底基片(1)，衬底基片(1)的下层面为下部金属电极层(2)，衬底基片(1)的上层面依次为下部包被层(10)、下部导波层(3)、激光活性层(4)、上部导波层(5)和上部包被层(11)；所述条状脊背是在条状包被层(6)上覆盖接触层(7)，其上表层为上部金属电极层(8)；其特征是，作为电流通道，在位于激光活性层(4)之上的包被层中，或是在位于激光活性层(4)之下的下部包被层中，或是激光活性层(4)本身，具有宽度较之条状脊背更窄、以使通过其间的激光驱动电流值更低的窄带电流限制层(9)，所述窄带电流限制层(9)为不同于所在包被层材质的选择性蚀刻层。