发明名称 Fotomaske und Verfahren für die Herstellung derselben
摘要 Eine Fotomaske und ein Verfahren zur Herstellung derselben werden beschrieben, bei dem ein transparentes Substrat mit einer lichtdurchlässigen Phasenumkehrschicht bedeckt wird, mehrere lichtdurchlässige Löcher von geringer Größe als Anhäufung in dichten Abständen in einem einzelnen Strukturlochgebiet der lichtdurchlässigen Phasenumkehrschicht ausgebildet werden und durch die lichtdurchlässigen Löcher und die lichtdurchlässige Phasenumkehrschicht hindurchgehendes Licht so geleitet wird, dass es eine Reihe von Interferenzphänomenen wie Nebenkeulenphänomene verursacht, so dass das einzelne Strukturloch ausreichend Licht empfängt, wenn sich die Lichtstärke aufgrund der Nebenkeulenphänomene erhöht. Wenn die als Fehlerfaktor betrachteten Nebenkeulenphänomene dafür benutzt werden, dass das einzelne Strukturloch ausreichend Licht empfängt, nachdem die lichtdurchlässigen Löcher von geringer Größe als Anhäufung in dem einzelnen Strukturlochgebiet des transparenten Substrats ausgebildet worden sind, wird der Schritt des zusätzlichen Ausbildens von Serifenlöchern selbstverständlich übersprungen, wodurch sich die Produktausbeute verbessern und die Erhöhung der Produktionskosten steuern lässt.
申请公布号 DE102004063140(A1) 申请公布日期 2005.08.04
申请号 DE20041063140 申请日期 2004.12.22
申请人 DONGBUANAM SEMICONDUCTOR INC., GYEONGGI 发明人 LEE, JUN SEOK
分类号 G03F1/08;G03C5/00;G03F1/00;G03F1/14;G03F1/32;G03F1/68;G03F9/00;H01L21/027;(IPC1-7):G03F1/14 主分类号 G03F1/08
代理机构 代理人
主权项
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