| 发明名称 |
ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMABLE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING DUAL-CONTROL GATE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0138439(A3) |
申请公布日期 |
1987.08.26 |
| 申请号 |
EP19840306502 |
申请日期 |
1984.09.24 |
| 申请人 |
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
发明人 |
SHIBATA, TADASHI C/O PATENT DIVISION |
| 分类号 |
G11C16/04;H01L27/115;(IPC1-7):H01L29/60;G11C17/00 |
主分类号 |
G11C16/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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