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发明名称
FORMING METHOD FOR TRENCH OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号
JPS6329932(A)
申请公布日期
1988.02.08
申请号
JP19860174477
申请日期
1986.07.23
申请人
NEC CORP
发明人
SATOU FUMIHIDE
分类号
H01L21/302;H01L21/3065
主分类号
H01L21/302
代理机构
代理人
主权项
地址
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