| 主权项 |
1.一种具有下列构造式之结晶,强韧之 聚(芳基醚酮)嵌段聚合物或链伸长 聚合物: 式中A及B系结晶之聚(芳基醚酮) 链段;a及b为至少2之号数;c等 于或大于1;d系0或l;X系单体 —Ar"'—O—,其中A"'系两价芳基 或寡聚基;但若A及B相同,则X为 寡聚基,其包括一聚合物链段含有醚 基经1,4—苯撑和酮基连接,而此 聚合物链段以一种或多种醚基,酮基 ,或两价链伸长单体或寡聚单元和另 一聚合物链段连接;但若A和B相同 ,则此两基团为共聚合的。2.根据申请专利范围第1 .项之结晶性聚 (芳基醚酮),其中含一种或多种下 列之重覆单元: 式中诸Ar各独立,系两价芳基,选 自苯撑或联苯撑;诸X各自独立,系 O ∥ O,C,或直按键;n系0至3之整 数;b,c,d及e系0至1;a系 1至4之整数,较佳为若b为1则d 系0。3.根据申请专利范围第2.项之聚(芳基 醚酮),其中含有一种或多种下式之 重覆单元: 式中Ph系1,4—苯撑,但若在相 同的Ph上有两个羰基则有50%之此 等羰基互相在1,3—位置。4.根据申请专利范围第1. 项之嵌段或链 伸长聚合物。系具有下式构造式: 式中Ph系1,4—苯撑;X至少为 1;a至少为1,典型上不超过3; b系至少为1,但不超过约50,Z系 链伸长基,选自一种或多种下列基: 式中y至少为1;z至少为1;但若 有两个羰基连接在相同的Ph上,则 有至50%之此等基互成1,3—位置5.根据申请专利范 团第1.或4.项所定义 之聚合物:6.根据申请专利范围第1.或4.项所定义 之一下列聚合物:7.根据申请专利范围第1.或4.项任 一项 所定义之聚合物:8.根据申请专利范围第1.项所定 义之聚 合物:9.一种具下式之二卤末端先驱物: 式中X系卤;Ar及Ar2为任意具有 醚及/或羰官能基之两价芳基;Ar3 系Ar4CO;Ar,系1,4或1;2 —苯撑;n 乃使分子量为约 10,000 以下之数。10.根据申请专利范围第9.项所定义之 一 具二卤末端先驱物:11.一种具下式之化合物:12.一 种具下式之化合物: 1至513.一种具下式二羟基末端之先驱物: 式中Ar1及Ar2系任意含有醚及/ 或羰官能基之两价芳基;n系使分子 量低于约10,000之数。14.根据申请专利范围第13.项 所定义之一 种具二羟基末端先驱物:15.一种具下式之链伸长化 合物:16.一种具下式二醯卤末端之先驱物: 式中X系卤;Ar1及Ar2系任意含 有醚及/或羰官能基之两价芳基; Ar3系Ar4CO;Ar4系1,4或1 ,2—苯撑;n系使分子量低于约 10,000之数。17.根据申请专利范围第16.项所定义之 一 种具二醯卤末端之先驱物:18.一种具下式之先驱物 : 式中X系卤;Ar1及Ar2为任意含 有醚及/或羰官能基之两价芳基; Ar3系Ar4CO;Ar4系1,4或1 ,2—苯撑;n系使分子量低于约 10,000之数。19.一种制造聚(芳基醚酮)嵌段聚合物 或链伸长聚合物之方法,系在对质子 呈惰性之溶剂中,于硷金属碳酸盐及 /或碳酸氢盐或其混合物之存在下, 系使分子量少于约10,000之具二卤 末端之聚(芳基醚酮)链段和分子量 少于约10,000之具羟基末端之不同 之聚(芳基醚酮)反应而得。20.依据申请专利范围 第19.项制法,系使 下列两链段反应: 式中x系氯,溴或氟。21.一种制造聚(芳基醚酮)嵌段 或链伸 长聚合物之方法,系使一种或多种具 官能基末端之分子量少于约10,000 之聚(芳基醚酮)先驱物和一种或多 种具羟基及/或卤末端之单体,在对 质子呈惰性之溶剂中,于硷金属碘酸 盐及/或碳酸氢盐,或其混合物之存 在下反应而得。22.一种制造聚(芳基醚酮)嵌段或 链伸 长聚合物之方法,系使一种或多种具 或不具特殊官能末端基之高分子量聚 (芳基醚酮)聚合物和一种或多种具 羟基及/或卤末端之单体,在对质子 呈惰性之溶剂中,于硷金属碳属盐及 /或碳酸氢盐,或其混合物之存在下 反应而得。23.根据申请专利范围第21.或22.项之制 法 ,系使下列反应物反应: 其中X为卤素。24.一种制造聚(芳基醚酮)嵌段聚合 物 或链伸长聚合物之方法,系使过量的 X—CO—Ph—CO—X和Ph—Ph反应, 而得下列二醯卤末端先驱物: (式中X为氯,溴或氟),然后使所 得先驱物和另外的芳族烃及二醯卤在 溶剂中进行弗瑞迪—克来福特反应。25.制造聚(芳 基醚酮)嵌段或链伸长聚 合物之方法,系使过量的Ph—Ph和 X—CO—Ph—CO—X反应,而得下列 中间体: (式中X系氯,溴或氟),再使所得 具烃末端之先驱物和另一芳族烃及二 醯卤在溶剂中于弗端迪—克来福特聚 合反应之条件下反应。26.根据申请专利范围第24. 或25.项之制法 ,包含使中间体和Ph—O—Ph及 X—CO—Ph—CO—X反应,而得分段 聚合物。27.一种制造聚(芳基醚酮)嵌段聚合物 或链伸长聚合物之方法,系使分子量 小于约10,000之未官能基化之聚( O ∥ 芳基醚酮)和双酚及X—Ph—C—Ph— X式中X系氯,溴或氟),在对质 子呈惰性之溶剂中,于硷金属碳酸盐 及/或碳酸氢钠或其混合物之存在下 反应。28.一种制造聚(芳基醚酮)嵌段聚合物 或链伸长聚合物之方法,系使分子量 少于约10,000之非官能基化之聚( 芳基醚酮)和分子量少于约10,000 之不同之非官能基化聚(芳基酮)在 对质子呈惰性之溶剂中,于硷金属碳 酸盐及/或碳酸氢钠,或其混合物之 存在下进行反应。29.一种制造嵌段合物或链伸长 聚合物之 方法,系使非官能在聚(芳基醚酮 )和双酚及二卤化物,在对质子呈惰 性之溶剂中,于硷金属碳酸盐及/或 碳酸氢盐,或其混合物之存在下反应 。30.一种制造聚(芳基醚酮)嵌段或链伸 长聚合物之方法,系使非官能基化寡 聚物 (式中Ar6系单价芳基;Ar及Ar′ 系两价芳基,其中之一或全部含有醚 氧),和二醯卤及任意含有醚氧之芳 族烃,在弗瑞迪—克来福特聚合条件 下,于溶剂中反应。31.一种根据申请专利范围第30. 项之制法 ,系使非官能化寡聚物和 X—CO—CO—X 及 Ph—O—Ph—O—Ph 或 X—CO—Ph—CO—X 及 Ph—O—Ph 及 式中x系氯,溴或氟。32.一种制造分子量少于约10, 000之具 二羟基末端之聚(芳基醚酮)寡聚物 房先驱物之方法,系使过量的双酚和 活化之二卤化物进行亲核聚缩合反应 。33.一种制造分子量小于约10,000之二 羟基末端之聚(芳基醚酮)先驱物之 方法,系使活化卤酚在双酚之存在下 ,进行规核聚缩合反应。34.一种制造分子量少于约 10,000之具 二卤末端之聚(芳基醚酮)之驱物之 方法,系使过量的二卤化物及二羟基 化物进行规核聚缩合反应。35.根据申请专利范围 第34.项之方法,其 中在反应快终了时,加入少量的二卤 化物,然后继续加热。36.一种制造分子量少于约10, 000之具 卤.羟基末端之聚(芳基醚酮)先驱 物之方法,系使具二卤末端之先驱物 ,在硷及对质子呈惰性之溶剂之存在 下进行选择性水解。37.一种制造分子量少于约10, 000之具 二卤末端聚(芳族醚酮)先驱物之方 法,系使活化之卤酚在活化二卤化物 存在下,于对质子呈惰性之溶剂中进 行聚缩合反应。38.一种制造分子量少于约10,000之 具 卤—羟基末端之聚(芳基醚酮)先驱 物之方法,系使等莫耳量的活化二卤 化物和二羟基化物,在对质子呈惰性 之溶剂中进行亲核聚缩合反应,当达 到所欲的分子量时,中止反应。39.一种制造分子量 少于约10,000之卤 —羟基末端之聚(芳基醚酮)先驱之 方法,系使二羟基末端之先驱物和计 量之活化二卤化物,在对质子呈惰性 之溶剂中,进行亲核聚缩合反应。40.一种制造分子 量少于约10,000具卤 羟基末端之聚(芳基醚酮)先驱物之 方法,系使活化卤酚在对质子呈惰性 之溶剂中自行缩合进行亲核聚缩合反 应,当达到所欲之分子量时,中止反 应。41.一种制造分子量少于约10,000之具 羟基末端之聚(芳基醚酮)先驱物之 方法,系使具二卤末端之先驱物和计 量之其二羟基化合物在对质子呈惰性 之溶剂中,进行规核聚缩合反应。42.一种制造分子 量少于约10,000之具 醯氯末端之聚(芳基醚酮)先驱物之 方法,系使过量的二醯氯和任意含有 醚键之芳族烃在弗瑞迪—克来福特聚 合条件下,于溶剂中反应。43.一种制造分子量少于 约10,000之其 二卤末端之聚(芳基醚酮)先驱物之 方法,系使第42.项所制之先驱物和具 有卤基之芳族化物,在溶剂之存在下 进行弗瑞迪—克来福特缩合反应。44.一种制造通 式如下之分子量少于 10,000之聚(芳基醚酮)非官能化 寡聚物之方法: H—Ar'—CO(ArCOAr')nH (式中Ar及Ar'为两价芳基,其中 之一或两者均含有醚氧,系使二醯氯 和芳族烃进行弗瑞迪—克来福特缩合 反应。45.根据申请专利范围第42.至44.项任一项 之制法,其中二醯氯系对 醯氯。46.根据申请专利 范围第42.至44.项任一项 之制法,其中二醯氯系光气。47.根据申请专利范围 第42.至46.项任一项 之制法,其中芳族烃系二苯氧苯。48.根据申请专利 范围第42.至46.项任一项 之制法,其中芳族烃系二苯氧苯。49.一种制造分子 量少于约10,000之具 二卤末端之聚(芳基醚酮)先驱物之 方法,系使第44.至48.项之寡聚物和卤 取代之醯卤在弗瑞迪—克来福特聚合 反应之条件下反应。50.根据申请专利范围第49.项 之制法,其 中醯卤系对氟苯醯氯。51.一种制造分子量少于约 10,000之具 卤末端之聚(芳基醚酮)先驱物之方 法,系使芳族醯卤和芳族卤醯卤及芳 族卤进行弗瑞迪—克来福特聚缩合反 应。52.根据申请专利范围第51.项之制法,其 中芳族醯卤系对—苯氧苯醯氧-;-醯卤 系对—氟苯醯氯;芳族卤系氟苯。53.一种制造分子 量少于约10,000之其 二羟基末端之聚(芳基醚酮)先驱物 之方法,系使对应之具二卤末端之先 驱物在对质子呈惰性之溶剂中进行。54.根据申请 专利范围第19.,21.至23.,27. 至29.或32.至41.项任一项之制法,其中 反应系在对质子呈惰性之溶剂中进行 ,该溶剂系脂族或芳族亚硜、硜、或 其混合物。55.根据申请专利范围第19.,21.至23.,27. 至29.或32.至41.项任一项之制法,其中 溶剂选自N,N—二甲基乙醯胺,N ,N—二甲基甲醯胺,N—甲基 咯 烷烷酮,或其混合物。56.根据申请专利范围第54.或 55.项之制法 ,其中反应系在硷金属碳酸盐之存在 下进行,该硷金属碳酸盐系碳酸钠或 碳酸氢钠及碳酸钾或碳酸钯,或其混 合物。57.根据申请专利范围第54.或55.项之制法 ,其中反应系在碳酸钠及/或碳酸氢 钠,及氟化—或氯化—钾—,铷,或 —铯之存在下进行。 泄 疾 |
