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发明名称 METHOD OF FORMING DOPED WELLS IN INTEGRATED CIRCUITS AND ITS USE IN THE PRODUCTION OF A BIPOLAR TRANSISTOR IN SUCH CIRCUITS
摘要
申请公布号 EP0239217(A3) 申请公布日期 1988.08.17
申请号 EP19870301239 申请日期 1987.02.13
申请人 STC PLC 发明人 HUNT, ROWLAND GEOFFREY
分类号 H01L29/73;H01L21/331;H01L21/74;(IPC1-7):H01L21/74;H01L21/265;H01L29/36 主分类号 H01L29/73
代理机构 代理人
主权项
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