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1.一种使其轭二烯烃单体聚合成聚合物之方 法,其中共轭二烯烃单体选自1,3-丁 二烯,异戊间二烯及1,3-戊二烯,系 利用包含(1)有机铝化合物,系选自三烷 铝及氢化二烷铝,(2)含选自钕、 铈 及钆之镧系物的有机金属化合物,及(3) 至少一种含至少一个不安定卤离子之触媒 系统;改良之处包含在卤乙烯之存在下约 10℃至约90℃之聚合温度进行聚合,以控 制聚合物之分子量,其中每100份单体中 卤乙烯之用量为0.05-10份,卤乙烯系选 自溴乙溴,氯乙烯,及碘乙烯;有机铝化 合物对镧系物之莫耳比例范围约为4/1至 约200/1;不安定卤离子对镧系物金属原 子之比例范围为0.5/至3.5/1。2.根据申请专利范围 第1项请求之方法,其 中100每份单体中卤乙烯之用量为0.1-2- 5份。3.根据申请专利范围第2项请求之方法,其 中卤乙卤乙烯选自氯乙烯及溴乙烯。4.根据申请 专利范围第1项请求之方法,其 中卤乙烯为氯乙烯。5.根据申请专利范围第1项请 求之方法,其 中有机铝化合物对镧系物之莫耳比为约10 /1至约50/1。6.根据申请专利范围第l项请求之方法, 其 中聚合系依本体聚合法进行。7.根据申请专利范 围第l项请求之方法,其 中聚合系依溶液聚合法进行。8.根据申请专利范 围第l项请求之方法,其 中预先制安之触媒系统系在1,3-二烯 烃之存在下制备。9.根据申请专利范围第1项请求 之方法,其 中共轭二烯烃单体为1,3-丁二烯。10.根据申请专利 范围第l项请求之方法, 其中共轭二烯烃单体为异戊间二烯。 |
