| 主权项 |
1.一种高电子移动率电晶体,该电晶体具有窄带隙之一第一半导体层及宽带隙之一第二半导体层,且其中,一副电子气通道构制于第一半导体层中及其与第二半导体层相对之介面上,该电晶体包括:一第三半导体层,构制于第二半导体层上,以变成一闸极部份,该第三半导体层形成一p-n接合面于该层及第二半导体层之间,并具有一传导带,该传导带之下端高于第二半导体层之传导带之下端,以形成一约为0.2eV之障壁。图示简单说明:图1为显示普通高电子移动率电晶体之一例之断面图。图2及3为普通高电子移动率电晶体之比较性实例之各别能带图;图4A至4C为本发明之高电子移动率电晶体之一构形之各别断面图,并依制造法之顺序显示,及图5为图4A至4C所示本发明高电子移动率电晶体之能带图。 |
