| 发明名称 |
BI-CMOS POWER TRANSITION CIRCUIT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH025457(A) |
申请公布日期 |
1990.01.10 |
| 申请号 |
JP19890022724 |
申请日期 |
1989.02.02 |
| 申请人 |
NATL SEMICONDUCTOR CORP <NS> |
发明人 |
ROBAATO EI KAATEISU;DAGURASU DEI SUMISU;TERANSU ERU BOUMAN |
| 分类号 |
H01L27/04;H01L21/822;H01L27/06;H03K17/08;H03K17/22;H03K17/567;H03K19/003;H03K19/08;H03K19/0948 |
主分类号 |
H01L27/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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