| 摘要 |
Le procédé décrit sert au dépôt par vaporisation de films ou d'enduits sur de grandes surfaces ou en des endroits d'un substrat extrêmement différents par rapport à la cible où l'enduit se compose exactement de la même composition que la cible à partir de laquelle le matériau est vaporisé, ce qu'on obtient en vaporisant dans un gaz noble ou autre plasma en phase vapeur par bombardement ionique au moins une cible sphérique ou partiellement sphérique. Des supraconducteurs ainsi qu'un grand nombre d'autres matériaux à composants multiples peuvent être déposés par vaporisation sur un substrat avec une composition inchangée grâce à l'utilisation d'une cible sphérique dans un plasma à pression de gaz ou de vapeur faible. |
