| 主权项 |
1.一种在半导体基板的一主要面具备双极元件和MOS元件的铋一全氧半导体型半导体装置,其特征为具有在上述半导体基板内形成的与此半导体基板同种导电型第l半导体区域,和由在此第1半导体区域上形成的厚绝缘层所构成的元件分离区域,而在前述双极元件上形成的射极电极与集极电极之中至少任一百的电极,和在前述MOS元件上形成的闸门电极,和明上述MOS元件之中的一元件由有效接点形成的低电阻多结晶矽层,和与此低电阻多结晶矽层相连接而由高电阻多结晶矽层形成的高电阻部份,都是以由同一的层形成而形成的多结晶矽层所形成的半导体装置。2.一种半导体基板的一主要面具备双极元件和MOS元件的铋一全氧半导体型半导体装置,其特征为具有在上述半导体基板内形成的与此半导体基板同种导电型的第1半导体区域,和在上述半导体基板表面形成的与上述半导体基板不同种导电型的半导体层内所形成而底部接触上述第1半导体区城的上﹒述同种导电型第2半导体区城,和由在此第2半导体区域上形成的厚绝缘属所构成的元件分离区域。在前述双极元件上形成的射极电极和集极电极之中的至少任一方的电极,和在前述MOS元上之形成的闸门电极,和用上述MOS元件之中的一元件由有效接点形成的低电阻多结晶矽层,和与此低电咀多结晶矽层相连接而由高电阻多结晶矽层形成的高电阻部份,都是以由同一的层形成而形成的多结晶矽层所形成者的半导体装置。3.申请专利范围第1或2项所记载的半导体装置,其中前述射极电极是前述多结晶矽层,且连接在集极引出区域的集极电极是金属膜。4.如申请专利范围第1或2项所记载的半导体装置,其中在前述半导体基板中形成的扩散层上,及以由高电阻多结晶矽层形成的高电阻部份除外的同一的层形成而形成的多结晶矽层上,所设置的含有Ti、W、Mo、Pt、Co等的高熔点金属矽化物层,有此种金属矽化物层。5.如申请专利范围第3项所记载的半导体装置,其中在前述半导体基板中形成的扩散层上,及以由高电阻多结晶矽层形成的高电阻部份除外的同一的层形成而形成的多结晶矽层上,所设置的合有Ti、W、Mo、Pt、Co等的高熔点金属矽化物层,有此种金属矽化物层。6.一种半导体基板的一主要面具备双极元件和MOS元件的铋一全氧半导体型半导体装置的制造方法,其特征为在上述半导体基板内形成与此半导体基板同种导电型的第1半导体区域,而在此第1半导体区域上选择性的形成厚绝缘层,藉此以形成元件分离区域的工程在被此元件分离区域包围的元件形成区域形成薄缘层后,同时行为射极区域及集极引出区之中至少任一力的区域的开孔和有效接点的开孔的工程和射极电极与集极电极之中至少在一方的电极与前述MOS元件的闸门电极,和用前述MOS元件之中的一元件由有效接点形成的低电阻多结晶矽层,和形成与此低电阻多结晶矽层相连接的高电阻区域的多结晶矽层,将这些由同一的成长及加工工程形成的工程和藉着从此多结晶矽层的夹杂物的扩散以形成射极区域及集极引出区域之中至少任一方的区域与有效接点区域的工程,以其有上列工程和的半导体装置的制造方法。7.一种半导体基板的一主要面具备双极元件和MOS元件的铋一全氧半导体型半导体装置的制造方法,其特征在上述半导体基板内形成与此半导体基板同种导电型的第1半导体区域,在前述半导体基板表面形成的与上述半导体基板不同种导电型的平导体层内形成上述同种导电型的第2半导体区域后,在此第2半导区域上选择性的形成厚缘层,藉此以形成上述第2半导体层的底部能接触到第1半导体层的元件分离区域的工程和在被彼此元件分离区域包围的元件形成区域形成薄绝缘层后,同时进行为射极区域及集极引出区域之中至少在任一方的区域的开孔和有效接点的开孔的工程和射极电极与集极电极之中至少在任一方的电极和前述MOS元件的闸门电极,和前述MOS元件之中的一元件由有效接点形成的低电阻多结晶矽层,和形成连接在此低电阻多结晶矽层的高电阻区域的多结晶矽层,将这些由同一的成长及加工工程形成的工程和藉着从此多结晶矽层的夹杂物的扩散,以形成射极区域及集极引出区域之中至少任一方的区域与有效接点区域的工程,以具有上列工程和的半导体装置的制造方法。8.如申请专利范围第6项或第7项所记载的半导体装置的制造方法,其中连接在射极区域的射极电极,形成前述多结晶矽层,且连接在集极引出区域的集极电极是用金属膜形成。9.如申请专利范围第6项或第7项所记载的半导体装置的制造方法,其中藉着从前述多结晶矽层的夹杂物的扩散,以形成射极区域及集极引出区域之中至少任一方的区域和有效接点区域的工程之后,在铋一全氧半导体型半导体装置的前述MOS元件的源种、漏极区域的扩散层上,和双极元件的极区上,和前述高低电阻区域除外的前述多结晶矽层上形成含有Ti、W、Mo、Pt、Co等的高熔点金属矽化物层的工程。10.如申请专利范围第8项所记载的半导体装置的制造方法,其中藉着从前述多结晶矽层的夹杂物的扩散,以形成射极区域及集极引出区域之中至少任一方的区域和有效接点区域的工程之后,在铋一全氧半导体型半导体装置的前述MOS元件的源极、漏极区域的扩散层上,和双极元件的基极区域上,和前述高低电阻区域除外的前述多结晶矽层上井成含有Ti、W、Mo、Pt、Co等的高熔点金属矽化物层的工程。图示简单说明:第1图是表示此一发明的一个实施例的铋一互补式全氧半导体型半导体装置的重要部份断面说明图。第2图(A)-(p)是表示此一发明的一个实施例的铋一互补式全氧半导体型半导体装置之制造方法的模式断面图之工程图。第3图是表示本发明的其他实施例,是达成高速动作的铋一互补式全氧半导体元件的重要部份断面说明图。第4图表示形成第3图所示的元件途中的一工程的制造工程断面图。 |
