| 主权项 |
1.一种层合物,包括:至少有两层片状物,其中至少有一片包括聚(次芳基硫化物)树脂;以及一片射频(RF)敏化黏合薄膜或片状物,介于该等片状物中间,以将该等片状物结合在一起,且其于该等片状物及黏合薄膜或片状物中,仅有该黏合薄膜或片状物经射频敏感化。2.根据申请专利范围第1项的层合物,其中藉着黏合薄膜,经将该等片状物与介于该等片状物中间的黏合薄膜暴露在介电场中,历足以使该黏合薄膜和该等片状物产生熔合或烧结之时间,而与该等片状物黏合在一起。3.根据申请专利范围第2项的层合物,其中将RF-敏化黏合薄膜或片状物暴露于介电场中的时间范围为自约30秒至约24小时。4.根据申请专利范围第1,2或3项的层合物,其中该居中的RF-敏化黏合薄膜或片状物包含一种聚(次芳基硫化物)树脂和一种介电性热敏化剂的掺合物。5.根据申请专利范围第4项的层合物,其中该介电性热敏化剂包含结晶性矽酸铝钠沸石一起种导电性碳黑的混合物。6.根据申请专利范围第5项的层合物,其中该介电性热敏化剂包含约90份以重量计的结晶性矽酸铝钠沸石,粒子大小约小于1微米,表面面积超过约400㎡/g者,和10份以重量计的导电性碳黑,其量对每100 份以重量计的聚(次芳基硫化物)而言有约1份至约5份。7.根据申请专利范围第1,2,或3项的层合物,其中至少有一片片状物进一步含有纤维,因此而形成一种复合物。8.根据申请专利范围第7项的层合物,其中该黏合薄膜包含一种聚(次芳基硫化物)树脂及纤维,因此而形成一种复合物。9.根据申请专利范围第1,2或3项的层合物,其中有待黏合在一起的多重材料的厚度范围为自约1/32英寸至约24英寸。10.根据申请专利范围第1,2或3项的层合物,其中聚(次芳基硫化物)树脂乃包括聚(次苯基硫化物)、聚(次联苯基硫化物)、聚(次苯基硫化 )或聚(次苯基硫化酮)。11.根据申请专利范围第1,2或3项的层合物,其中欲黏结之片状物之材质包含热安定性聚合物材质,金属,玻璃,陶瓷或石。12.根据申请专利范围第11项的层合物,其中金属为铝、铁、钛、铜、铬、钢、不锈钢或黄铜。13.根据申请专利范围第1,2或3项的层合物,其中欲黏合之片状物至少有一含有聚(次芳基硫化物)树脂或聚(次芳基硫化物)树脂与纤维之组合物。14.根据申请专利范围第13项的层合物,其中该纤维为玻璃纤维或碳纤维。15.根据申请专利范围第13项的层合物,其中黏合在一起之二片状物含该组合物。16.一种形成含有两材质层及介于该等片状物中间的黏合薄膜之层合结构之方法,该方法包括:(a) 将该黏合薄膜置于该两材质层之间并使之接触,其中至少一层包含聚(次芳基硫化物)树脂,且其于该层及黏合薄膜中,仅有该黏合薄膜经RF-敏化;(b) 步骤(a) 后将该黏合薄膜及该层暴露在介电场中,历足以使该黏合薄膜与每一层黏合之时间,因而形成该层合结构。17.根据申请专利范围第16项的方法,其中该RF-敏化黏合薄膜包含聚(次芳基硫化物)树脂及介电性热敏化剂之掺合物。18.根据申请专利范围第17项的方法,其中每-层之厚度范围自约0.079公分(1/32英寸)至约60.96公分(24英寸)。19.根据申请专利范围第18项的方法,其中该黏合层暴露在介电场中的时间范围为自约30秒至约24小时。20.根据申请专利范围第19项的方法,其中该黏合薄膜之聚(次芳基硫化物)树脂系选自由聚(次苯基硫化物)及聚(次苯基硫化酮)所组成之族群中。21.根据申请专利范围第17项的方法,其中该介电性热敏化剂包含结晶性矽酸铝钠沸石及导电性碳黑之混合物。22.根据申请专利范围第21项的方法,其中该介电性热敏化剂包含约90份重量份之结晶性矽酸铝钠沸石,其具粒子大小约小于1微米,且表面面积超过约400㎡ /g,及10份重量份之导电性碳黑,其量对每100 份重量份之聚(次芳基硫化物)而言约有1份至5份。23.根据申请专利范围第16项的方法,其中该层中至少有一含聚(次芳基硫化物)树脂亦及纤维以形成组合物。24.根据申请专利范围第23项的方法,其中两层合聚(次芳基硫化物)树脂及纤维。25.根据申请专利范围第24项的方法,其中该纤维系选自由玻璃纤维及碳纤维所组成之族群。26.根据申请专利范围第25项的方法,其中该层中之聚(次芳基硫化物)树脂系选自由聚(次苯基硫化物),聚(次联苯基硫化物),聚(次苯基硫化 )及聚(次苯基硫化酮)所组成之族群。27.一种形成含有两层及介于该等片状物中间的黏合薄膜之层合结构之方法,该方法包含以下步骤:(a) 将该黏合薄膜置于两层之间并使之接触,其中至少一层包含聚(次芳基硫化物)树脂,且其于该层及黏合薄膜中,仅有该黏合薄膜经RF-敏化;(b) 步骤 (a)后,将该黏合薄膜及该层暴露在介电场中,历足以使该黏合薄膜与每一层黏合之时间,因而形成层合结构。28.根据申请专利范围第27项的方法,其中该黏合薄膜包含聚(次芳基硫化物)树脂。29.根据申请专利范围第28项的方法,其中至少一层含有聚(次芳基硫化物)。30.根据申请专利范围第28项的方法,其中至少一层含有聚(次芳基硫化物)及纤维形成之组成物。31.根据申请专利范围第16项的方法,其中至少一层含有聚(次芳基硫化物)树脂。32.根据申请专利范围第31项的方法,其中两层含有聚(次芳基硫化物)树脂。33.一种将多重材料黏合在一起而形成层合结构物的方法,包括将一种射频敏化的黏合薄膜或片状物插在与有待黏合的多重材料相邻的中间位置,系在压力下,将该射频敏化黏合薄膜或片状物暴露在介电场中,其时间长短足以使该射频敏化黏合薄膜或片状物与该多重材料产生熔合或烧结,而与该多重材料黏合在一起,其中至有一种多重材料包含聚(次芳基硫化物)树脂。34.根据申请专利范围第33项的方法,其中该有待黏合在一起的多重材料的厚度范围自约 0.079 公分(1/32英寸)至约60.96 公分(24英寸)。35.根据申请专利范围第33项的方法,其中有待黏合的材料包括热安定性聚合性材料、金属、玻璃、陶瓷或石。36.根据申请专利范围第35项的方法,其中金属包括铝、铁、钛、铜、铬、钢、不锈钢或黄铜。37.根据申请专利范围第35项的方法,其中该热安定性聚合性材料为聚(次芳基硫化物)树脂。38.根据申请专利范围第37项的方法,其中该聚(次芳基硫化物)树脂包括聚(次苯基硫化物),聚(次联苯基硫化物)、聚(次苯基硫化 )及聚(次苯基硫化酮)。39.根据申请专利范围第33,34,35,36,37或38项的方法,其中该居中的射频敏化黏合薄膜或片状物包含聚(次芳基硫化物)树脂和介电性热敏化剂的掺合物。40.根据申请专利范围第39项的方法,其中该介电性热敏化剂包含结晶性矽酸铝钠沸石和导电性碳黑的混合物。41.根据申请专利范围第40项的方法,其中该介电性热敏化剂包含约90份以重量计的结晶性矽酸铝钠沸石,粒子大小约小于1微米,表面面积超过约400 ㎡ /g者,和10份以重量计的导电性碳黑,其量对每100 份以重量计的聚(次芳基硫化物)而言有约1份自约5份。42.根据申请专利范围第33,34,35,36,37或38项的方法,其中该射频敏化黏合薄膜或片状物暴露在介电场中的时间范围为自约30秒至约24小时。 |
