| 主权项 |
1.一种高电压半导体装置,包括:一基质,在该基质上之一个含晶体区,包括一涂敷之电极区和一涂敷之隔离区;该涂敷之电极区和该涂敷之隔离区被一第一距离分隔;在上述含晶体区内上述涂敷之电极区和上述涂敷之隔离区之间的部位上,有一隔离层,此一隔离层覆盖在上述涂敷之电极区端部的一部份之上;在上述隔离层上有一第一多结晶半导体层;及一含金属层,上述高电压半导体装置之特点为:在上述第一多结晶半导体层上,有一第二多结晶半导体层。2.根据申请专利范围第1项之高电压半导体装置,其中之金属层之设置,一方面系覆盖上述涂敷之隔离区并延伸一小段距离横跨在上述第二多结晶半导体层之一中,另一方面则覆盖上述涂覆之电极区并由该电极区延伸出一小段距离 (约在40微米和120微米之间)横跨上述第二多结晶半导体装置之另一边。3.根据申请专利范围第1项之高电压半导体装置,其中该隔离层之厚度范围为800尘米至1200尘米。4.根据申请专利范围第1项之高电压半导体装置,其中该第一多结晶半导体层之厚度范围为30@尘米至500尘米。5.根据申请专利范围第1项之高电压半导体装置,其中该第二多结晶半导体层之厚度范围为150尘米至300尘米。6.根据申请专利范围第1,2,3,4,或5项之高电压半导体装置,其中之第一和第二多结晶半导体层,分别由具有第一和第二两种含氧量百分比之多结晶矽所构成。7.根据申请专利范围第6项之高电压半导体装置,其中上述第二多结晶半导层之含氧百分比范围为25%至30%。8.根据申请专利范围第1项之高电压半导体装置,其中上述之第一距离范围为150微米至225微米。9.根据申请专利范围第1项之高电压半导体装置,其中涂敷之电极区和涂敷之隔离区,是以相反方式涂敷形成。10.一种制造高电压半导体装置之方法,包括下列步骤:提供一基质;在上述基质上形成一含晶体区;在上述含晶体区内形成一第一涂敷之电极区;在上述第一涂敷电极区内形成一第二涂敷之电极区,并在上述含晶体区内形成一涂敷之隔离区;在上述含晶体区上形成一隔离层;本制法之步骤有下列数项特点:在上述隔离层上,以沉积法形成第一和第二多结晶半导体层;在上述第一和第三多结晶半导体层和上述隔离层内形成第一,第二和第三开口;在上述第二多结晶半导体层和上述含晶体区以沉积方法形成一金属层;蚀刻上述金属层,在上述第一,第二和第三开口内形成第一,第二和第三金属部份,其中第二金属部份自上述涂敷之电极区端部延伸出一小段距离横越上述第二多结晶半导体层。11.根据申请专利范围第10项之制法,其中之第一涂敷电极区构成一基极并具有第一种传导系数,而上述第二涂敷电极区则构成一射极,该第二涂敷电极和上述涂敷隔离区具有第二种传导系数。12.根据申请专利范围第10项之制法,其中提及之一小段距离系在40微米至190微米范围以内。图示简单说明:图1所示为先前制造高电压半导体装置所用基质之部份剖面简图;图2所示为本发明高电压半导体装置所用基质之剖面简图;及图3至10所至为依本发明制法各不同步骤中半导体基质之部份剖面简图。 |
