| 主权项 |
1﹒一种具有分子量分布少于5.0及定型指数 超出96%聚合物之制法,其系包含使具有 3至8碳原子数的o一烯烃接触于流化床 反应器,其压力为7OkPa至700O kPa 及温度为80℃至160℃,与有效量之触媒 系施予催化作用,其系包含 (a)固体触媒组成物,系由式MgR′R〞 之镁化合物经卤化作用而获得,式中R ′为烷基氧化物或芳基氧化物,而R〞 为烷基氧化物或芳基氧化物或卤素,具 有包含至少二个卤原子之卤化四价钛化 合物,在卤化烃及含有二个共平面酯接 合邻接于碳原子之聚羧酸酯才存在下; 令卤化之生成物与额外之卤化四价钛化 合物处理;处理生成物用惰性之烃洗净 除去未反应之钛化合物;并回收固体生 成物,其中每莫耳镁化合物系用4莫耳 至100莫耳钛化合物,每莫耳卤化烃含 有0.005至2.0:1, (b)有机铝共触媒,包括有下式之化合物 A1(R''')dXeHf X为F,C1,Br,I或OR'''' R'''和R''''系含有1至14碳原子 之饱和烃基,此基团可相同或各异,以及 ,如有需要时,在聚合中于惰性反应条件 下以任何之取代基加以取代, d为1至3, e为0至2, f为0或1, d+e+f=3;以及 (c)含有矽-氧-碳键合之电子给与体, 为如下式所示 R'''''nSiYnXp 式中: R'''''为含有l至20碳原子之烃基 Y为-OR''''''或一OCOR''''''其中 R''''''为含有1至20碳原子之烃基, X为氢或卤素, m为具有0至3之整数, n为具有1至4之整数, p为具有0至1之整数,而 m+n+p=4, 该触媒在有机铝辅触媒中之铝对电子给与 体中矽所含有之原子比为自0.5 :1至100:1,而在有机 铝辅触媒中之铝封在 固体触媒组成份之钛的原子比为自5:1 至300:1。 2﹒如申请专利范围第l项之制法,其中镁化 合物为二烷醇镁,其中每一烷基氧化物基 含有1至8碳原子。 3﹒如申请专利范围第2项之制法,其中镁化 合物为二乙醇镁,而卤化四价钛化合物为 四氯化钛。 4﹒如申请专利范围第2或3项之制法,其中 卤化烃为含有6至12碳原子及1至2卤素 原子之芳香族卤化烃者。 5﹒如申请专利范围第4项之制法,其中卤化 烃为氯苯。 6﹒如申请专利范围第1项之制法,其中卤化 生成物系用额外之卤化四价钛化合物处理 二次而第二次之处理系在含有二个共平面 之卤化醯基接合邻接于碳原子之聚羧酸卤 化物加以实施者。 7﹒如申请专利范围第6项之制法,其中聚羧 酸卤化物为软醯二氯者。 8﹒如申请专利范围第1项之制法,其中聚羧 酸酯系选自含有 (a)聚羧酸酯所包含之二个酯基系依附在 单环或多环之芳香族环之正位碳原子, 而每一酯基系再与分枝或未分枝链之烃 基连结, (b)含有二个酯基之聚羧酸酯类系接合于 非芳香族单环或多环式环之运位碳原子 并彼此构成为对称构型,每一酯基复与 分枝或非分枝之链烃基结合,以及 (c)含有二个酯基之聚羧酸酯类系接合于 不饱和脂族化合物之连位双键碳原子并 彼此构成为对称构型,每一酯基复与分 枝或非分枝之链烃基结合之基。 9﹒如申请专利范围第8项之制法,其中聚羧 酸酯系衍自含有1至12碳原子之一元醇以 及选自由下列之基所构成之聚羧酸 (a)含有8至20碳原子之单环或多环芳族 化合物而二个羧基系与环构造之正位碳 原子结合, (b)含有6至20碳原之单环或多环非芳族 化合物而二个羧基系与环式构造之连位 碳原子结合且彼此构成为对称之构型, 或 (c)含有6至20碳原子之不饱和脂族化合 物而二个羧基系与连位霜键之碳原子结 合且彼此构成为对称之构型。 10﹒如申请专利范围第9项之制法,其中聚 羧酸为卧酸二异丁酯者。 11﹒如申请专利范围第1项之制法,其中 -烯烃为丙烯。 12﹒如申请专利范围第1项之制法,其中系 在至少为100℃之温度下制造具有原子量 分布为0.3至4.5而定型指数为自97%至 99%之聚合物。 13﹒如申请专利范围第I项之制法,其中具 有3至8碳原子之-烯烃系在第二聚合 反应器中于第一次聚合反应器之生成物存 在下聚合超出20莫耳%乙烯者。 |
