Conducting kerf-regions for a semiconductor device.

摘要

Ein Ritzrahmen (2) für ein Halbleiter-Bauelement soll eine hinreichende Positionierung eines Korpuskularstrahls ermöglichen. Der Ritzrahmen (2) besitzt eine höhere elektrische Leitfähigkeit als die Umgebung des Ritzrahmens (2). Der Ritzrahmen ermöglicht ebenso Schichtwiderstandsbestimmung der Implantation über die Hochfrequenzverlustwiderstandsmessung berührungsund zerstörungsfrei ohne Konakte. Der Ritzrahmen kann auf ein festes äußeres DC-Potential, z. B. Source oder Drain-Potential, gelegt werden, und so können Side-Gating Effekte vermieden werden.