发明名称 PROCEDE D'AMELIORATION DE DISPOSITIFS ISOLANTS POUR HAUTE TENSION
摘要 <p><P>L'INVENTION SE RAPPORTE AUX DISPOSITIFS ELECTRIQUES.</P><P>ELLE CONCERNE UN PROCEDE D'AMELIORATION DE LA FONCTION D'ISOLATION ELECTRIQUE DE LA SURFACE EXTERNE D'UN ISOLATEUR ELECTRIQUE SOLIDE, CARACTERISE EN CE QU'ON REVET LA SURFACE D'UNE COMPOSITION REPONDANT A LA FORMULE GENERALE:<BR/>(CF DESSIN DANS BOPI)<BR/>DANS LAQUELLE X A UNE VALEUR MOYENNE D'AU MOINS 2; Y ET Z ONT CHACUN UNE VALEUR MOYENNE DE 0 A 98; X PLUS Y PLUS Z EST EGAL A 8 A 200 INCLUSIVEMENT; Y ET Z NE PEUVENT PAS ETRE 0 SIMULTANEMENT; LORSQUE X, Y ET Z ONT CHACUN UNE VALEUR MOYENNE SUPERIEURE A 0, LE RAPPORT DE X A Y A Z EST D'ENVIRON 7 A 4 A 1; LORSQUE Y EST EGAL A 0, LE RAPPORT DE X A Z VA DE 0,31 A 71 INCLUSIVEMENT, ET X PLUS Z A UNE VALEUR INFERIEURE A 100; ET LORSQUE Z EST EGAL A 0, LE RAPPORT DE X A Y EST DE 0,31 A 71 INCLUSIVEMENT ET X PLUS Y EST INFERIEUR A 100.</P><P>UTILISATION PAR LES FABRICANTS D'ISOLATEURS POUR HAUTE TENSION.</P></p>
申请公布号 FR2424614(A1) 申请公布日期 1979.11.23
申请号 FR19790010823 申请日期 1979.04.27
申请人 DOW CORNING CORP 发明人
分类号 H01B3/46;H01B19/04;(IPC1-7):01B19/04 主分类号 H01B3/46
代理机构 代理人
主权项
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