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La presente invención se refiere a procedimiento para la preparacion de películas a base de silicio amorfo dopado, por la descomposición en plasma de una mezcla de gases que incluye silano y un gas dopante, el cual comprende los pasos de: introducir sustratos eléctricamente conductores o aislantes a una cámara, se evacua y se ajusta a una temperatura adecuada, en seguida se introduce el gas silano a la cámara, a un flujo deseado, junto con el flujo de los gases dopantes o combinación de los mismos gases, se ajusta la presión de la cámara y se pone en contacto con un plasma, caracterizado en que el gas dopante es pentafluoruro de fosfato o trifluoruro de boro y en que las enegías de activación de la conductividad eléctrica del silicio amorfo dopado con menores de 0.3 electrón voltios; la temperatura en la placa principal es de 350 grados C o mayor, durante el depósito y se ajusta el generador de plasma para la máxima disipación posible de potencia.
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