AGENCEMENT D'UN RESEAU DE CELLULES REDONDANT POUR UN DISPOSITIF DE MEMOIRE A SEMICONDUCTEURS.

摘要

Dispositif de mémoire à semiconducteurs possédant un réseau de cellules de mémoire normal (N) qui comprend des agencements répétitifs d'un agencement de données prédéterminé et dont les données sont introduites et délivrées en réponse à un signal de ligne de sélection de colonne (CSL0 à CSL3). Il comprend un agencement d'un réseau de cellules redondant (R). L'agencement possède le même agencement de données que l'unité répétitive minimale dudit réseau de cellules de mémoire normal (N), dans lequel les données du réseau de cellules redondant (R) sont introduites et délivrées en réponse à un signal de ligne de sélection de colonne redondant (RCSL0 à RCSL3). Grâce à l'agencement du réseau de cellules redondant (R), la fiabilité et le rendement du dispositif de mémoire à semiconducteurs sont accrus.