| 主权项 |
1﹒一种供石印形成图样之扫描,环场缩印投影装 置,经由在装置制造期间, 扫描大体上被包含在一个弓形狭缝以内之像区域, 以便产生供连同自30 0A至400A波长范围以内之X射线辐射而使用之装置, 构成最大为0 ﹒4m的设计定则,此装置的光学件系全反射性并 包括:分布布喇格反 射器,该光学件包括第一、第二与第三光学元件的 三合面镜,自物组至像 予以观察,被等是连续之凹形、凸形和凹形;该狭 缝包括:一个区域,系 在距光轴如此之半径上,以便容许有效使用一种X 射线辐射源来产生十分 小的总像差,而容许在该设计定则下,形成图样;其 特征为:该装置包括 一具第四光学元件在第二与第三光学元件间,以及 其特征为:该第四光学 元件为经由一个非球面项所修饰之球面者,且具备 有下列三项功能:(1 )安置像在与物体相对之光学件的相反面上;(2)供 应所需要之工作空间而容许装置之便利制造,当予 以放置而具有一个 表面与像者相对应时,及(3)减少区域的径向相依性 ,藉以提供具有 较对于三合面镜所容许者为大之尺寸的一个区域 在扫描方向而提供而需 要之工作空间以及特定之像像差。 2﹒如申请专利范围第1项之装置,其中,在扫描方向 之像区域的尺寸是至少 1mm。 3﹒如申请专利范围第1项之装置,其中,弓形狭缝的 直线尺寸,如垂直于扫 描方向所测得者是至少25mm。 4﹒如申请专利范围第1项之装置,其中,第四光学元 件的表面是凸形,如经 由非球面项所变更者。 5﹒如申请专利范围第1项之装置,其中,第四光学元 件的表面是凸形,如经 由外球面项予变更者且其中,各光学元件半径的绝 对値,如自物体至像所 见,且以系统焦距的分数所示者各自是1﹒17.0﹒69 的、1﹒27 和0﹒72均至5%U内。 6﹒一种供石印形成图样之扫描,环场缩印投影装 置,经由在装置制造期间, 扫描大体上被包含在一个弓形狭缝以内之像区域, 以便产生供连同自30 0A至40A波长范围以内之,射线辐射而使用之装置构 成最大为0﹒4 m的设计定则,此装置的光学件系全反射性并包 括;分布布喇格反射器 ,该光学件包括第一,第二与第三光学元件的三合 面镜,该狭缝包括一个 区域,系在距光轴如此之半径上,以使容许有效使 用一种x射线辐射源来 产生十分小的总像差,而容许在该设计定则下形成 图样,其特征为:该装 置包括一具第四光学元件在第二与第三光学元件 间,以及其特征为:该第 四光学元件为非平面者,且具备下列四种功能:(1) 提供一个可取数之 光阑;(2)安置像在与物体相对之光学件的相反面上 ;(3)供应所需要之工作空间而容并装置之便利制造 ,当予以放置而具有一个 表面与像者相对应时,及(4)减少区域的径向相依性 ,藉以提供具有 较对于三合面镜所容许之尺寸为大之尺寸的一个 区域在扫描方向,藉以 ,该装置提供所需要之工作空间以及特定像差在像 中。 7﹒如申请专利范围第6项之装置,其中,在扫描方向 之像区域的尺寸是至少 0﹒5mm。 8﹒如申请专利范围第6项之装置,其中,弓形狭缝的 直线尺寸,如垂直于扫 描方向所测得者是至少31﹒5mm。 9﹒如申请专利范围第6项之装置,其中,第四光学元 件的表面是凹形。 10﹒如申请专利范围第6项之装置,其中,光学元件 的表面,以自物体平面 至像平面之次序,各自是:凹形、凸形,凹形和凹形, 及其中,此等光 学元件半径的绝对値,如自物体至像所见,且以系 统焦距的分数所示者 各自是0﹒56,0﹒22,4﹒57不0﹒38均至5%以内;光 学元件的轴向分隔,如此所见,并系以系统焦距的 分数所示者是0﹒1 91,0﹒165,0﹒197,且其中,像与第四光学元件之分隔, 如沿着其轴所测得者是0﹒286,而所有此等分隔数 値在10%以 内。 11﹒如申请专利范围第1或第6项之装置,其中,像区 域是弓形而与弓形狭 缝相当。 12﹒如申请专利范围第1或第6项之装置,其中,径向 方向中,像区域的因 次,自中心最大数値而减小,以补偿在其他情况所 增加之经曲率感生之 曝光。 13﹒如申请专利范围第1或第6项之装置,其中,弓形 狭缝是具有与环场的 60近似相当之长度。 14﹒一种供石印形成图样之扫描,环场缩印投影装 置,经由在装置制造期间 ,扫描大体上被包含在一个弓形狭缝以内之像区域 ,以便产生供连同自 300A至40A波长范围以内之,射线缩射而使用之装置, 构成最大 为0﹒4m的设计定则,此装置的光学件系全反射伴 并包括:分布布 喇格反射器,该光学件包括第一、第二与第三光学 元件的三合面镜,当 自物体至像予以观察时,被等连续是凹形,凸形,和 凹形,该狭缝包括 一个区域,系在距光轴如此之半径上,以便容许有 效使用用一种X射线 辐射源来产生十分小的总像差,而容许在该设计定 则下之形成图样,其 特征为:二合面镜的各元件依由各反射之表面予以 界定,此等表面在一 起具有充分之非球面校正而产生具有增加因次之 区域在扫描方向。 15﹒如申请专利范围第14项之装置,其特征为:该装 置包括:供给下列功 能之第四光学元件,包括:(1)提供一个可取数之光 阑;(2)安置像在与物体相对之光学件的相反面上;(3 )供应所需要之工作空间而容许装置之便利制造,( 当予以放置而具有与 像者相对应之一个表面时)。 16﹒如申请专利范围第1.6或14项之装置,其特征为: 光学件定位是如 此之定位,以便使远心性产生在像空间中。 17﹒如申请专利范围第1.6或14项之装置,其特征为: 像区域大体上是 平坦。 18﹒如申请专利范围第1.6或14项之装置,其特征为: 畸变校正是充分 ,因此使:在扫描期间残余畸变,导致最大为20mm之像 模糊。 19﹒一种用以依照最大为0﹒4m之设计定则所设 计之装置制造之方法, 该制造需要往此项设升定则下列实施之至少一个 石印形成图样之步骤, 其中,形成图样是经由使用光谱的软x射线辐射,环 场缩印投影在一个 阻体上,包括:用对于此阻体而呈光化之一个部份; 继以便进一步处理 包括显像,其特征为:在形成图样之步骤期间之制 造生产量(形成图样 中所需要之整理操作除外),是在至少0﹒5cm2/sec之 速率; 就感光度为10mj/cm2之阻体而论),关于此项辐射的显 着之光 化部份,或在具有不同感尤度之阻体之相等速率, 此速率与阻体感光度 呈直线反比而变更,以及其中,此项生产量系基于10 mw的光化照明 功率,此项生产量排除随着此项功率之变更而大概 线性变更之整理操作 。 20﹒如申请专利范围第19项之方法,其中,光谱的光 化部份,中心大约在 自300A至40范围内之一个波长。 21﹒如申请专利范围第20项之方法,其中,光谱的光 化部份,中心大约在 自150A至100A范围内之一个波长。 22﹒如申请专利范围第19项之方法,其中,将辐射之 渗透入阻体以内,限 制为一种深度,此深度小于阻体的整个厚度。 23﹒如申请专利范围第22项之方法,其中,该阻体具 有至少两层的不同组 成物,如在辐射方向所见到者。 24﹒如申请专利范围第23项之方法,其中,该等至少 两层的第一层界定一 个自由表面,其中,更进,步处理需要第一层之显像, 继以,将图样转 移至另外层。 25﹒如申请专利范围第24项之方法,其中,阻体是三 能级阻体。 26﹒如申请专利范围第19项之方法,其中,利用辐射 之形成固檥变更了入 射的阻体表面,以性在随后之图样转移期间,激发 该表面(关于灵敏度 )。 27﹒如申请专利范围第26项之方法,其中,在激发朋 间所变更之阻体的厚 度具有最大阻度为数层。 28﹒如申请专利范围第19项之方法,其中,,射线辐射 系由同步加速器所 产生。 29﹒如申请专利范围第28项之方法,其中,垂直于扫 描方向所测得之扫描 宽度是大于31﹒5mm。 30﹒如申请专利范围第29项之方法,其中,在扫描方 向所测得之瞬时扫描 尺寸是0﹒5mm以上。图示简单说明: 图l示意描述根据本发明之例示X光 石印装置的主要元件; 图2及图3,各自以侧视图及顶视图 ,示意显示:例示之本发明投影系统的有 关部件,自掩模至像平面,显示母体转动 之对称镜的轴外部份。 图4显示:例示之本发明投影系统的 像场形状和大小。 图5是自使用根据本发明之例示之投 影系统所产生之像散现象的图表(消除所 有级的像散现象,经由X和Y焦点曲线的 重合予以显示)。 图6是本文中一个实例之畸变与狭缝 宽度关系之图表。 |
