| 主权项 |
1﹒一种在底材上产生正像之方法,包括步骤:a)浸 渍当阴极之铜箔层板于 含有电可沈积非光敏感性含胺基之硷可溶聚合物 之电解浴中,而电沈积聚 合物膜于层板上;b)浸渍步骤a)中之涂覆有聚合物 的层板,当作阳极 或为阴极,于含式I二叠氮化磺醯胺:其中Ra及Rb 各为氢,倘若 Ra及Rb两者非都是氢;被胺基取代之C1─C8烷撑;任意 被含胺基 之基所取代之苯基;或Ra或Rb一起形成5─或6─员任 意被取代之杂 环其含有一含胺基之基于环内或有一含胺基之基 取代于环上,然后电沈积 磺醯胺膜至该聚合物涂覆层板之上;c)经屏蔽照射 步骤b)所得之乾燥 、涂膜层板;及d)使被照射之涂覆层板显影以产生 屏蔽之正像;其中步 骤(a)及(b)系藉通电流经过浴中而完成,而步骤(d)系 藉由溶剂 之处理而完成。 2﹒如申请专利范围第1项之方法,其中电可沈积非 光敏感性聚合物系胺修饰 过酚醛树脂。 3﹒如申请专利范围第2项之方法,其中酚醛树脂系 一已经与醛及胺,或醛及 胺羧酸反应之酚─甲醛或甲酚甲醛。 4﹒如申请专利范围第1项之方法,其中在步骤a)中, 聚合物选择地连同习 用添加剂溶于或分散于水性介质以形成电沈积浴 。 5﹒如申请专利范围第4项之方法,其在步骤a)中之 电沈积浴含亲水性有机 溶剂;选择地疏水性溶剂;及有机或无机酸。 6﹒如申请专利范围第1项之方法,其中用于步骤b) 中之二叠氮化磺醯 胺具式:其中n系1至8之整数。 7﹒如申请专利范围第6项之方法,其中n系1至4之整 数。 8﹒如申请专利范围第1项之方法,其中用于步骤b) 之二叠氮化磺酸胺 具式:其中n系1至8之整数,且Rc及Rd各自为氢,倘若其 中n系╮@ 只隃楔屁蒱荎遉諵峚遉鴞U自为氢,倘若Rc及Rd两 者非都是氢,C╮@ 陕wC4烷羟基─(C1─C4)烷基或下式基:其中n系1至10 之整戚@ 荎遉擐p申请专利范围第1项中所定义者。 9﹒如申请专利范围第8项之方法,其中烷基R酐及R 系甲基或乙基。 10﹒如申请专利范围第1项之方法,其中任意之苯基 Ra及/或Rb系苯基 或胺苯基。 11﹒如申请专利范围第1项之方法,其中选择地被取 代之杂环由Ra及Rb 形成者系六氢或咯啶环,各任意地被胺基─ (C1─C4烷基) 基取代。 12﹒如申请专利范围第1项之方法,其中在步骤b)中, 由步骤a)而涂覆 有聚合物之层板被浸渍当作阴极。 13﹒如申请专利范围第1项之方法,其中在步骤b)中, 式I化合物选择地 连同习用添加剂溶于或分散于水性介质以形成电 沈积浴。 14﹒如申请专利范围第13项之方法,其在步骤b)中之 电沈积浴含亲水性 溶剂,选择地疏水性溶剂;及有机或无机酸。 15﹒如申请专利范围第13或14项之方法,其中电沈积 浴含0﹒2至5重 量%或I化合物。 16﹒如申请专利范围第1项之方法,其中喷射所得之 乾燥光敏感性层成预定 之图样或工作可藉曝光经过带有影像之幻灯片(蔽 )而完成,该幻灯片 包括透明和不透明区域;或藉由电脑控制之雷射光 束照射光束照射达成 。 17如申请专利范围第16项之方法,其中电磁辐射之 波长范围系200至6 00mm。 18﹒如申请专利范围第16或17项之方法,其中辐射源 系汞蒸气弧或卤化 金属灯。 19﹒一种由申请专利范围第1项之方法所产生之带 有正像之底材。 20﹒如申请专利范围第19项之底材,该底材系印刷 电路。 |
