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发明名称 IMPURITY ADDED COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL GROWTH METHOD
摘要
申请公布号 JPH05206031(A) 申请公布日期 1993.08.13
申请号 JP19920013035 申请日期 1992.01.28
申请人 NIPPON TELEGR & TELEPH CORP <NTT> 发明人 YAMAMOTO TOMOO;NANISHI YASUYUKI;KONDO NAOTO
分类号 H01L21/205 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
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