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UNA MEMORIA INCLUYE UN SUSTRATO DE SEMICONDUCTOR (26) QUE TIENE UNA SUPERFICIE PRINCIPAL Y UNA ZANJA (24) DISPUESTA EN SU INTERIOR, QUE TIENE UN EJE LONGITUDINAL, MEDIOS DE ALMACENAMIENTO (16,16'') DISPUESTOS SOBRE UNA DETERMINADA PARED LATERAL DE LA ZANJA, MEDIOS DE INTERRUPCION (12,12'') QUE TIENEN UN ELEMENTO DE CONTROL Y UN ELEMENTO DE TRANSPORTE DE CORRIENTE DISPUESTO SOBRE LA PARED LATERAL DE DICHA ZANJA ENTRE LOS MEDIOS DE ALMACENAMIENTO Y LA SUPERFICIE PRINCIPAL DEL SUSTRATO, Y ACOPLADOS A LOS MEDIOS DE ALMACENAMIENTO UNA PRIMERA LINEA ELECTRICA CONDUCTORA (40,40'') DISPUESTA SOBRE DICHA PARED LATERAL EN CONTACTO CON EL ELEMENTO DE CONTROL Y TIENE UN EJE LONITUDINAL DISPUESTO PARALELAMENTE AL EJE DE LA ZANJA, Y UNA SEGUNDA LINEA CONDUCTORA (22,22'') DISPUESTA SOBRE LA SUPERFICIE PRINCIPAL DEL SUSTRATO CONDUCTOR EN CONTACTO CON EL ELECTRODO QUE TRANSPORTA LA CORRIENTE DESDE LOS MEDIOS DE INTERRUPCION Y TIENE UN EJE LONGITUDINAL DISPUESTO ORTOGONALMENTE AL EJE LONGITUDINAL DE LA ZANJA.
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