| 主权项 |
1.一种高压金属闸CMOS电晶体的制造方法,适用于具有第二型井区的第一型基板制作第一型MOS电晶体及第二型MOS电晶体,而上述高压金属闸CMOS电晶体的制造方法包括下列步骤:于上述第二型井区及第一型基板上形成遮蔽物,且上述遮蔽物形成有开口,以界定出上述第一型及第二型MOS电晶体的淡掺植汲极区和源极区;以上述遮蔽物为罩幕,经由上述开口而分别掺植第一型掺植杂质及第二型掺植杂质至上述第二型井区及第一型基板,以分别形成上述第一型及第二型MOS电晶体的淡掺植汲极区和源极区;于上述遮蔽物之开口的侧边形成边墙间隔物;以上述遮蔽物及边墙间隔物为罩幕施行氧化,而于上述淡掺植及汲极区和源极区上分别形成场区氧化物;去除上述场区氧化物,而于上述淡掺植汲极区和源极区上分别形成凹槽;以上述遮蔽物及边墙间隔物为罩幕,分别掺植第一型掺植杂质及第二型掺植杂质至上述第一型及第二型MOS电晶体的淡掺植汲极区和源极区,而分别形成浓掺植汲极区和源极区;去除上述遮蔽物及边墙间隔物;施行氧化,而于上述浓掺植汲极区和源极区上形成绝缘氧化物,同时于上述绝缘氧化物之间形成厚度较上述绝缘氧化物薄的闸极氧化物;于上述绝缘氧化物形成接触窗;以及于上述闸极氧化物上形成金属闸极,及经由上述接触窗而与上述浓掺植汲极区和源极区接触的接触金属。2.如申请专利范围第1项所述之高压金属闸CMOS电晶体的制造方法,其中,上述遮蔽物为复晶矽,而上述边墙间隔物为氮化物。3.如申请专利范围第1项所述之高压金属闸CMOS电晶体的制造方法,其中,上述遮蔽物为氧化物,而上述边墙间隔物为氮化物。4.如申请专利范围第1.2或3项所述之高压金属闸CMOS电晶体的制造方法,其中,上述第一型为N型,而上述第二型为P型。5.如申请专利范围第1.2或3项所述之高压金属闸CMOS电晶体的制造方法,其中,上述第一型为P型,而上述第二型为N型。第1图(a)至(g)系显示用以说明依据本发明来制造CMOS电晶体中之NMOS电晶体的剖面图;以及第2图(a)至(g)系显示用以说明依据本发明来制造CMOS电晶体中 |
