发明名称 积体电路晶片之双引线构造
摘要 一种积体电路晶片之双引线构造。其系在积体电路晶片之搭接间距为4.0密尔或以下,注模包封时,容易发生短路接触之引线,以双引线或二条以上引线之并联结合方法,以克服引线短路故障之不良率。
申请公布号 TW246245 申请公布日期 1995.04.21
申请号 TW083205859 申请日期 1994.04.28
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 李世文;林国堂;马同舟;庄一珍
分类号 H01L23/28 主分类号 H01L23/28
代理机构 代理人 陈启舜 高雄巿苓雅区中正一路二八四号十二楼
主权项 1.一种积体电路晶片之双引线构造,其包含有:(A)在晶片上设有浮点附着垫;(B)以双引线或二条以上引线连接于同一接脚。2.依上述申请专利范围第1项所述之积体电路晶片之双引线构造,在晶片之角落最边位之附着垫邻侧设有一个或一个以上之浮点附着垫。3.依上述申请专利范围第1或2项所述之积体电路晶片之双引线构造,其浮点附着垫上所连接之引线,与其邻侧之引线共同连接于同一接脚。第1图:本案创作实验区间之示意图。第2图:本案创作附着垫间距之示意图。第3图:本案创作区间L1之X光透视图。第4图:本案创作区间L2之X光透视图。第5图:本案创作区间L3之X光透视图(一)。第6图:本案创作区间L3之X光透视图(二)。第7图:本案创作区间L3之X光透视图(三)。第8图:本案创作区间L4之X光透视图。第9图:本案创作区间L5之X光透视图。第10图:本案创作区间L6之X光透视图(一)。第11图:本案创作区间L6之X光透视图(二)。第12图:本案创作区间L6之X光透视图(三)。第13图:本案创作区间L7之X光透视图。第14图:本案创作浮点附着垫与双引线之示意图。第15图:本案创作浮点附着垫与双引线之X光透视图(一)。第16图:本案创作浮点附着垫与双引线之X光透视图(
地址 高雄巿楠梓加工出口区经三路二十六号