具抹除自我限制及定电流能力之快闪记忆单元

摘要

具抹除自我限制及定电流能力之快闪记忆单元本发明系关于一种具抹除自我限制及定电流能力之快闪记忆单元，主要在一快闪记忆元之源极、内层闸极及控制闸极更并联连接一控制用快闪记忆元，两快闪记忆元藉离子植入于其内部通道区域之多寡，使两快闪记忆元之起始临界电压（Ｖｔ）实施例可设为约有１伏特差距，于抹除步骤时，令控制用快闪记忆元之控制闸极与汲极相互连接，于控制用快闪记忆元恢复至０伏特临界电压时，使控制用快闪记忆元导通，而使另一快闪记忆元之源、闸极呈等电位而自动停止抹除动作，使快闪记忆元仍保持于１伏特起始临界电压位准，故提供抹除自我限制并提供定电流能力者。

主权项

1.一种具抹除自我限制及定电流能力之快闪记忆单元,主要以一快闪记忆元件及一控制元件所组成,其中该控制元件亦为一快闪记忆元构成,两元件之源极、内层闸极及控制闸极均相互连通,控制元件之汲极与控制闸极间连接有一仅于抹除模式始予以接通之抹写控制开关,而两元件各别之起始临界电压分别设为较高及较低者;得于抹除模式时,于两元件临界电压渐次降低至该控制元件之临界电压时,令控制元件自动导通而停止抹除动作,此时即令快闪记忆元件恢复至相同于原起临界电压位准者。2.如申请专利范围第1项所述之具抹除自我限制及定电流能力之快闪记忆单元,其中该两元件之起始临界电压系经由离子植入浓度高度予以产生者。3.如申请专利范围第1项所述之具抹除自我限制及定电流能力之快闪记忆单元,其中该两元件之起始临界电压分别设为1伏特及0伏特为最佳者。第一图:系传统快闪记忆体之剖面图。第二图:系传统快闪记忆体之等效电路图。第