发明名称 半导体受光元件
摘要 本发明的目的在于得到一种能够提高波长稳定性的半导体受光元件。n型InP衬底(11)(半导体衬底)具有彼此对置的下表面(第一主面)和上表面(第二主面)。在n型InP衬底11的下表面从n型InP衬底(11)侧依次形成的n型多层反射层(12)(第一反射层)、吸收层(13)、p型相位调整层(14)和阳极电极(15)(第二反射层)。在n型InP衬底(11)的上表面上形成的防反射膜(17)。n型多层反射层(12)是层叠了折射率不同的半导体层的多层反射层。吸收层(13)的带隙比n型InP衬底(11)小。p型相位调整层(14)的带隙比吸收层(13)大。n型多层反射层(12)和吸收层(13)不通过其他层地接触。
申请公布号 CN101521245A 申请公布日期 2009.09.02
申请号 CN200810160917.2 申请日期 2008.09.19
申请人 三菱电机株式会社 发明人 石村荣太郎;中路雅晴
分类号 H01L31/10(2006.01)I;H01L31/107(2006.01)I;H01L31/0232(2006.01)I 主分类号 H01L31/10(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 闫小龙;王忠忠
主权项 1. 一种半导体受光元件,其特征在于,具备:具有彼此对置的第一主面和第二主面的半导体衬底;在所述半导体衬底的所述第一主面上从所述半导体衬底侧依次形成的第一反射层、吸收层、相位调整层以及第二反射层;形成在所述半导体衬底的所述第二主表面上的防反射膜,所述第一反射层是层叠有折射率不同的半导体层的多层反射层,所述吸收层的带隙比所述半导体衬底小,所述相位调整层的带隙比所述吸收层大,所述第一反射层和所述吸收层不通过其他层地接触。
地址 日本东京都