| 发明名称 | 等离子体氧化处理方法、等离子体处理装置和存储介质 | ||
| 摘要 | 本发明提供等离子体氧化处理方法、等离子体处理装置和存储介质。该等离子体氧化处理方法包括：在配置在等离子体处理装置的处理容器内的载置台上载置表面具有硅的被处理体的工序；在处理容器内形成含氧的处理气体的等离子体的工序；在形成等离子体时，向载置台供给高频电力，向被处理体施加高频偏压的工序；和利用等离子体，氧化被处理体表面的硅，形成硅氧化膜的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101523575A | 申请公布日期 | 2009.09.02 |
| 申请号 | CN200780036197.2 | 申请日期 | 2007.09.27 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 盐泽俊彦;壁义郎;小林岳志;足立光;北川淳一;山本伸彦 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1. 一种等离子体氧化处理方法，其特征在于，包括：在配置在等离子体处理装置的处理容器内的载置台上载置表面具有硅的被处理体的工序；在所述处理容器内形成含氧的处理气体的等离子体的工序；在形成所述等离子体时，向所述载置台供给高频电力，向被处理体施加高频偏压的工序；和利用所述等离子体氧化被处理体表面的硅，形成硅氧化膜的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||