等离子体成膜装置和等离子体成膜方法

摘要

本发明提供一种能够维持高成膜速率，并且维持高度的膜厚的面内均匀性的等离子体成膜装置。这样的等离子体成膜装置具有可被抽真空的处理容器(44)、用于载置待处理体(W)的载置台(46)、被安装在顶部的由透过微波的电介体构成的顶板(88)、导入包含成膜用原料气体和辅助气体的处理气体的气体导入单元(54)、和为了导入微波而设在顶板侧的具有平面天线部件的微波导入单元(92)。气体导入单元具有：位于待处理体的部上方的原料气体用部气体喷射孔(112A)；和在待处理体的周边部上方，沿着待处理体的圆周方向排列的原料气体用的多个周边部气体喷射孔(114A)。在待处理体的上方的部气体喷射孔(112A)与周边部气体喷射孔(114A)之间，沿着圆周方向设有用于遮蔽等离子体的等离子体遮蔽部(130)。

主权项

1. 一种等离子体成膜装置，具有：处理容器，其顶部开口，且内部可被抽真空；载置台，其为了载置待处理体而被设在上述处理容器内；顶板，其由用于透过微波的电介体构成，并被气密地安装在上述顶部的开口中；气体导入单元，其向上述处理容器内导入包含成膜用原料气体和辅助气体的处理气体；及具有平面天线部件的微波导入单元，其为了向上述处理容器内导入微波而设在上述顶板侧，该等离子体成膜装置特征在于，上述气体导入单元具有：位于上述待处理体的中央部的上方的原料气体用的中央部气体喷射孔；及在上述待处理体的周边部上方沿着待处理体的圆周方向排列的原料气体用的多个周边部气体喷射孔，在位于上述待处理体的中央部与周边部之间的中间部的上方，设有用于沿着圆周方向遮蔽等离子体的等离子体遮蔽部。