在管芯的背面上制作接触的方法

摘要

一种形成半导体器件(10，20)的方法，包括在半导体衬底(12)上形成有源电路(14)，其中所述半导体衬底具有第一主表面和第二主表面，并且第一有源电路形成于所述半导体衬底的第一主表面上。通路(16，18)形成于第一半导体衬底中，其中所述通路从所述第一有源电路延伸至所述第一半导体衬底的第二主表面。电介质层(24)形成于所述第二主表面上并与第一通路邻接。电介质层(24)可以包括氮和硅，并且可以通过低压、低温、或低压低温的等离子体工艺形成。

主权项

1. 一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在第一半导体衬底上形成第一有源电路，其中所述第一半导体衬底具有第一主表面和第二主表面，并且所述第一有源电路形成于所述半导体衬底的所述第一主表面上；在所述第一半导体衬底中形成第一通路，其中所述第一通路从所述第一有源电路延伸至所述第一半导体衬底的所述第二主表面；在所述第二主表面上并且邻接于所述第一通路选择性地形成第一电介质层。