硅基纳米柱阵列异质结薄膜太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种硅基纳米柱阵列异质结薄膜太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池制造领域领域。所述方法包括在P型太阳能级硅衬底上制备金属纳米晶掩蔽层；以金属纳米晶掩蔽层作为掩蔽，采用干法刻蚀硅衬底，制备垂直的硅纳米柱阵列；去除金属纳米晶掩蔽层；依次沉积本征非晶硅层和N型非晶硅层并形成异质结；最后沉积透明导电薄膜层以及制备上接触电极和下接触电极。采用本法可一次性大面积的制备上述太阳能能电池阵列，大大降低了成本。此外，本方法制备工艺简单，成本低，具有很好的制备效率和工艺稳定性。且工艺步骤完全与现有的晶体硅、薄膜硅太阳能电池的制备工艺兼容。易于大规模推广。

主权项

1、一种硅基纳米柱阵列异质结薄膜太阳能电池，包括下接触电极和上接触电极，其特征在于，在所述下接触电极与上接触电极之间依次为硅纳米柱阵列、本征非晶硅层、N型非晶硅层以及透明导电薄膜层。