| 发明名称 | 泡界模板法制备多孔碳羟磷灰石的孔径控制方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种泡界模板法制备多孔碳羟磷灰石的方法，具体的是涉及一种多孔碳羟磷灰石的孔径控制方法，在通过泡界模板法制备多孔碳羟磷灰石的过程中，在反应原溶液表面张力为0.1N/m的情况下，对体系的压力进行调节，调节范围是1.5atm～25atm，以实现对产物平均孔径1.5μm～0.5μm范围内的控制。本发明的有益效果是：提供了一种控制多孔碳羟磷灰石的孔径的新方法，该方法简单可行、成本低廉，即在泡界模板法这一简便方法的基础上实现孔径控制，产物孔径在微米范围内(1.5μm～0.5μm)可控。 | ||
| 申请公布号 | CN101519196A | 申请公布日期 | 2009.09.02 |
| 申请号 | CN200910061551.8 | 申请日期 | 2009.04.10 |
| 申请人 | 武汉工程大学 | 发明人 | 黄志良;程晓焜;刘羽;喻俊;王涵;池汝安 |
| 分类号 | C01B25/32(2006.01)I | 主分类号 | C01B25/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人 | 崔友明 |
| 主权项 | 1、泡界模板法制备多孔碳羟磷灰石的孔径控制方法，其特征在于在通过泡界模板法制备多孔碳羟磷灰石的过程中，在反应原溶液表面张力为0.1N/m的情况下，对体系的压力进行调节，调节范围是1.5atm～25atm，以实现对产物平均孔径1.5μm～0.5μm范围内的控制。 | ||
| 地址 | 430074湖北省武汉市洪山区雄楚大街693号 | ||