| 发明名称 | 晶片级直立式的二极管封装结构 | ||
| 摘要 | 一种晶片级直立式的二极管封装结构，该封装结构包括：一第一型半导体材料层、一第二型半导体材料层、一绝缘单元、一第一导电结构及一第二导电结构。第二型半导体材料层连接于第一型半导体材料层的一表面。绝缘单元环绕包覆第一型半导体材料层的周围及第二型半导体材料层的周围。第一导电结构成形于第一型半导体材料层的表面上及绝缘单元的一侧边上。第二导电结构成形于第二型半导体材料层的表面上及绝缘单元的另外一相反侧边上。通过绝缘单元、第一导电结构及第二导电结构，以将第一型半导体材料层及第二型半导体材料层全部包覆。本实用新型大大降低了材料成本及加工成本。 | ||
| 申请公布号 | CN201302998Y | 申请公布日期 | 2009.09.02 |
| 申请号 | CN200820137176.1 | 申请日期 | 2008.10.13 |
| 申请人 | 宏齐科技股份有限公司 | 发明人 | 汪秉龙;萧松益;陈政吉 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈 晨;郑小军 |
| 主权项 | 1、一种晶片级直立式的二极管封装结构，其特征在于，包括：一第一型半导体材料层；一第二型半导体材料层，其连接于该第一型半导体材料层的一表面；一绝缘层，其选择性地环绕包覆该第一型半导体材料层的一部分周围、环绕包覆该第一型半导体材料层的周围、或环绕包覆该第一型半导体材料层的周围及该第二型半导体材料层的一部分周围；一第一导电结构，其成形于该第一型半导体材料层的表面上及该绝缘层的表面上；以及一第二导电结构，其成形于该第二型半导体材料层的表面上；其中，通过该绝缘层、该第一导电结构及该第二型半导体材料层，以将该第一型半导体材料层全部包覆。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||