| 发明名称 | 半导体基底及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了半导体基底及其制造方法。所述半导体基底包括基底区域、绝缘区域和浮置主体区域。绝缘区域设置在基底区域上。浮置主体区域通过绝缘区域与基底区域分离，并设置在绝缘区域上。基底区域和浮置主体区域由具有相同特性的材料形成。制造半导体基底的方法包括以下步骤：通过蚀刻体基底，形成至少一个浮置主体图案；通过蚀刻浮置主体图案的中间部分，将体基底分离成基底区域和浮置主体区域；在浮置主体区域和基底区域之间填充绝缘材料。 | ||
| 申请公布号 | CN101521211A | 申请公布日期 | 2009.09.02 |
| 申请号 | CN200910008035.9 | 申请日期 | 2009.02.19 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金元住;李太熙;车大吉;朴允童 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/302(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭鸿禧;刘奕晴 |
| 主权项 | 1、一种半导体基底，所述半导体基底包括：绝缘区域，位于基底区域上；浮置主体区域，通过绝缘区域与基底区域分离，并设置在绝缘区域上，基底区域和浮置主体区域由具有相同特性的材料形成。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||