发明名称 |
功率放大器偏置电路 |
摘要 |
本发明公开了一种HBT功率放大器偏置电路,包括功率放大电路、线性化偏置电路和一功率控制电路,功率控制电路包括构成镜像电流结构的第四晶体管T4和第五晶体管T5、用于控制电流的第三晶体管T3,以及第二电阻R2;该第三晶体管T3的集电极连接于所述线性化偏置电路的第二晶体管T2的基极;该第三晶体管T3的发射极连接于第四晶体管T4的基极、第五晶体管T5的基极和第五晶体管T5的集电极;该第三晶体管T3的基极通过第二电阻R2连接于电流源Vref,并同时连接于第四晶体管T4的集电极;该第四晶体管T4和第五晶体管T5的发射极分别接地。本发明能够稳定地随输出功率状态的变化,而改变偏置电流的大小。 |
申请公布号 |
CN101521486A |
申请公布日期 |
2009.09.02 |
申请号 |
CN200810100956.3 |
申请日期 |
2008.02.27 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
毕晓君;张海英 |
分类号 |
H03F1/02(2006.01)I;H03F1/30(2006.01)I;H03F1/32(2006.01)I;H03F3/21(2006.01)I |
主分类号 |
H03F1/02(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
1、一种异质结双极晶体管HBT功率放大器偏置电路,包括功率放大电路和线性化偏置电路(101),该功率放大电路包括一个或一组信号放大晶体管T1、用于给晶体管T1直流馈电的电感L,以及一个输入电容Ci和输出电容Co;该线性化偏置电路(101)包括第二晶体管T2、两个起温度补偿作用的第一二极管D1和第二二极管D2,以及一个第一电阻R1和第一电容C1;其特征在于,该电路还包括:一功率控制电路(102),包括构成镜像电流结构的第四晶体管T4和第五晶体管T5、用于控制电流的第三晶体管T3,以及第二电阻R2;该第三晶体管T3的集电极连接于所述线性化偏置电路(101)的第二晶体管T2的基极,使整个功率控制电路(102)对所述线性化偏置电路(101)构成旁路的作用;该第三晶体管T3的发射极连接于第四晶体管T4的基极、第五晶体管T5的基极和第五晶体管T5的集电极;该第三晶体管T3的基极通过第二电阻R2连接于电流源Vref,并同时连接于第四晶体管T4的集电极;该第四晶体管T4和第五晶体管T5的发射极分别接地。 |
地址 |
100029北京市朝阳区北土城西路3号 |