半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置可包括内插件、堆叠并形成于内插件上的多个器件、分别形成于多个器件中并通过穿透相应的器件而形成的贯穿电极、及形成于各个器件之间且将形成于上部器件中的贯穿电极连接到形成于下部器件中的贯穿电极的连接电极。本发明能够解决SiP形态中的半导体装置散热问题。

主权项

1.一种半导体装置，包括：内插件；多个器件，堆叠于所述内插件上方；贯穿电极，形成于所述多个器件的每个器件中，并构造成穿透相应的器件；连接层，位于各个所述器件之间；以及连接电极，形成所述连接层上，并构造成将形成于上部器件中的所述贯穿电极连接到形成于下部器件中的所述贯穿电极；还包括：散热层，在堆叠且形成于所述内插件上的所述多个器件中，所述散热层形成在位于最下面的器件的下表面上并耦接到形成于所述下部器件中的所述贯穿电极。