发明名称 导线的制造方法
摘要 一种导线的制造方法,此方法先提供基底,且基底上已形成至少二隔离结构,相邻二隔离结构间形成有一第一导体层。接着,于基底上形成一介电层,图案化该介电层以形成暴露该第一导体层的一开口。之后,于基底上形成一第二导体层,移除开口以外的部分第二导体层以形成电连接第一导体层的一导线。随着元件的尺寸愈来愈小,若使用本方法制作导线,其尺寸与位置精确度将不会受到光刻工艺的设计的限制。因此,可形成导线以有效地电连接半导体元件。
申请公布号 CN100536106C 申请公布日期 2009.09.02
申请号 CN200610005872.2 申请日期 2006.01.19
申请人 力晶半导体股份有限公司 发明人 王炳尧;赖亮全;杨政桓
分类号 H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陶凤波;侯 宇
主权项 1、一种导线的制造方法,包括:提供基底,该基底中已形成至少二隔离结构,相邻该二隔离结构间形成有第一导体层;于该基底上形成介电层;图案化该介电层,以形成暴露该第一导体层的第一开口;于该基底上形成第二导体层;以及移除该第一开口以外的部分该第二导体层以形成电连接该第一导体层的导线。
地址 中国台湾新竹市