发明名称 |
微硅麦克风及其制备方法 |
摘要 |
本发明提供了一种微硅麦克风及其制备方法,属于微电子机械系统(MEMS)加工技术领域,该微硅麦克风包括作为电容极板的单晶硅薄膜和多晶硅薄膜,多晶硅薄膜为可动极板,单晶硅薄膜上设有若干个释放孔,在多晶硅薄膜上形成加强筋结构,该加强筋结构与单晶硅薄膜上的释放孔相对应,且镶嵌在释放孔中。本发明的制备方法是利用ICP技术进行深槽刻蚀的制造工艺,该工艺既可以得到释放孔,又可实现带有加强筋结构的多晶硅薄膜,工艺流程简单,工艺兼容好,所制备的麦克风成本低、结构应力小、稳定性好且可靠性高。 |
申请公布号 |
CN100536608C |
申请公布日期 |
2009.09.02 |
申请号 |
CN200410033638.1 |
申请日期 |
2004.04.14 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
张大成;胡维;乔东海;李婷;王玮;田大宇;罗葵;李静;阮勇 |
分类号 |
H04R19/01(2006.01)I;H04R31/00(2006.01)I |
主分类号 |
H04R19/01(2006.01)I |
代理机构 |
北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) |
代理人 |
贾晓玲 |
主权项 |
1.一种微硅麦克风,包括作为电容极板的单晶硅薄膜和多晶硅薄膜,两膜之间留有空隙,多晶硅薄膜为可动极板,单晶硅薄膜上设有若干个释放孔,在单晶硅薄膜和多晶硅薄膜之间还设有绝缘层,绝缘层上设抗腐蚀层,使得抗腐蚀层位于绝缘层和多晶硅薄膜之间,其特征在于:在多晶硅薄膜上形成加强筋结构,该加强筋结构与单晶硅薄膜上的释放孔相对应,加强筋结构镶嵌在释放孔中。 |
地址 |
100871北京市海淀区颐和园路5号 |