半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其中，通过将过氢化硅氮烷溶液涂布在硅基板上形成涂布膜，对涂布膜进行加热而使溶剂挥发，由此形成聚硅氮烷膜，通过对聚硅氮烷膜进行化学试剂处理来将聚硅氮烷膜转化为二氧化硅膜，所述过氢化硅氮烷溶液是将过氢化硅氮烷聚合物分散在含有碳的溶剂中而生成的。

主权项

1、一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括下述工序：在半导体基板上形成沟槽的工序；将过氢化硅氮烷溶液涂布在所述半导体基板上而形成涂布膜的工序，所述过氢化硅氮烷溶液是将过氢化硅氮烷聚合物分散在含有碳的溶剂中而生成的；将所述涂布膜加热使所述溶剂挥发而形成聚硅氮烷膜的工序；对所述聚硅氮烷膜进行化学试剂处理而将所述聚硅氮烷膜转化为硅氧化膜的化学试剂处理工序；对所述硅氧化膜进行加热而将所述硅氧化膜致密化的工序。