发明名称 显示装置的制造方法
摘要 本发明提供一种显示装置的制造方法。具体地说,形成第一导电膜、第一绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、第二导电膜;在第二导电膜上形成第一抗蚀剂掩模;进行第一蚀刻来至少使第一导电膜的表面露出;对第一导电膜的一部分进行伴随侧面蚀刻的第二蚀刻来形成栅电极层;在第二导电膜上形成第二抗蚀剂掩模;通过进行第三蚀刻形成源电极及漏电极层、源极区及漏极区和半导体层来形成薄膜晶体管;形成第二绝缘膜;在第二绝缘膜中形成开口部来使源电极或漏电极层的一部分露出;在开口部及第二绝缘膜上选择性地形成像素电极;以及在与开口部重叠的区域中形成由栅电极层构成的支撑部。
申请公布号 CN101521182A 申请公布日期 2009.09.02
申请号 CN200910126428.X 申请日期 2009.02.26
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 沟口隆文;三上真弓;斎藤祐美子
分类号 H01L21/84(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G03F1/00(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I 主分类号 H01L21/84(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 何欣亭;王丹昕
主权项 1. 一种显示装置的制造方法,包括如下步骤:形成第一导电膜;在所述第一导电膜上形成第一绝缘膜;在所述第一绝缘膜上形成半导体膜;在所述半导体膜上形成杂质半导体膜;在所述杂质半导体膜上形成第二导电膜;在所述第二导电膜上形成第一抗蚀剂掩模;通过使用所述第一抗蚀剂掩模对所述第一绝缘膜、所述半导体膜、所述杂质半导体膜及所述第二导电膜进行第一蚀刻,至少使所述第一导电膜的表面露出;采用侧面蚀刻对所述第一导电膜的一部分进行第二蚀刻来形成栅电极层;在所述第二导电膜上形成第二抗蚀剂掩模;通过使用所述第二抗蚀剂掩模对所述第二导电膜、所述杂质半导体膜及所述半导体膜的一部分进行第三蚀刻来形成源电极层、漏电极层、源极区、漏极区及半导体层,形成薄膜晶体管;去除所述第二抗蚀剂掩模;形成第二绝缘膜来覆盖所述薄膜晶体管;在所述第二绝缘膜中形成开口部,以使所述源电极层或漏电极层的一部分露出;以及在所述开口部中并且在所述第二绝缘膜上选择性地形成像素电极,其中,使用所述栅电极层形成的支撑部形成在与所述开口部重叠的区域中。
地址 日本神奈川县厚木市