| 发明名称 | 异质结场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提供异质结场效应晶体管。其课题在于，针对氮化镓系的高电子迁移率晶体管，提高二维电子浓度和电子迁移率，并且不产生短沟道效应。作为解决手段，异质结场效应晶体管具有在基底(20)上依次层积的作为沟道层(40)的第1GaN层、作为电子供给层(50)的AlN层、以及作为覆盖层(60)的第2GaN层。AlN层的厚度大于等于2.5nm且小于等于8nm。 | ||
| 申请公布号 | CN101521225A | 申请公布日期 | 2009.09.02 |
| 申请号 | CN200910118543.2 | 申请日期 | 2009.02.26 |
| 申请人 | 冲电气工业株式会社 | 发明人 | 玉井功;户田典彦;星真一 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄纶伟 |
| 主权项 | 1. 一种异质结场效应晶体管，其特征在于，所述异质结场效应晶体管具有在基底上依次层积的作为沟道层的第1GaN层、作为电子供给层的AlN层、以及作为覆盖层的第2GaN层，所述AlN层的厚度大于等于2.5nm且小于等于8nm。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||