| 发明名称 | 半导体装置的制造方法和抗蚀剂涂敷、显影处理系统 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种不产生图案走样而使抗蚀剂图案细化的半导体装置的制造方法和抗蚀剂涂敷、显影处理系统，半导体装置的制造方法包括：在底层上(1)形成抗蚀剂层(3)的工序；在抗蚀剂层(3)上得到由可溶层(3a)和不溶层(3b)的图案构成的曝光图案的工序；从形成有曝光图案的抗蚀剂层(3)上除去可溶层(3a)而形成抗蚀剂图案(3c)的工序；从抗蚀剂图案(3c)上除去中间曝光区域(3d)的工序；将产生可溶化抗蚀剂图案(3c)的可溶化物质的反应物质导入到除去了中间曝光区域(3d)的抗蚀剂图案(3c)上，在除去了中间曝光区域(3d)的抗蚀剂图案(3c)表面上形成新的可溶层(3e)的工序；从抗蚀剂图案(3c)上除去新的可溶层(3e)的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101521153A | 申请公布日期 | 2009.09.02 |
| 申请号 | CN200910119113.2 | 申请日期 | 2009.03.02 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 岩尾文子;志村悟;川崎哲 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;G03F7/004(2006.01)I;G03F7/30(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇;张会华 |
| 主权项 | 1. 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在底层上形成抗蚀剂层的工序；在上述抗蚀剂层上得到由可溶层和不溶层的图案构成的曝光图案的工序；从形成有上述曝光图案的抗蚀剂层上除去可溶层，形成抗蚀剂图案的工序；从上述抗蚀剂图案上除去中间曝光区域的工序；将反应物质导入到除去了上述中间曝光区域的抗蚀剂图案上的工序，该反应物质用于产生可溶化该抗蚀剂图案的可溶化物质；在导入有上述反应物质的抗蚀剂图案表面上形成新的可溶层的工序；从上述抗蚀剂图案上除去新的可溶层的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||