发明名称 用于基板定位的偏移校正方法
摘要 本发明提供一种计算处理室内的夹头的处理中心的方法。该方法包括生成处理前和处理后测量数据点,这是通过在一组角度上和与基板几何中心的一组距离上测量薄膜基板的厚度完成的。该方法还包括比较该组处理前测量数据点与该组处理后测量数据点,以计算出一组刻蚀深度值。该方法还包括针对该组角度生成刻蚀曲线。该方法还包括从该组刻蚀曲线中推出一组半径,该组半径与第一刻蚀深度相关。该方法还包括生成离心曲线,该离心曲线是该组半径相对于该组角度的图形表示。该方法还包括将曲线拟合方程应用于该离心曲线以计算该处理中心。
申请公布号 CN101523182A 申请公布日期 2009.09.02
申请号 CN200780036388.9 申请日期 2007.09.14
申请人 朗姆研究公司 发明人 杰克·陈;安德鲁三世·D·贝利;本·穆林;斯蒂芬·J·凯恩
分类号 G01L21/30(2006.01)I;G05B15/00(2006.01)I;B44C1/22(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I 主分类号 G01L21/30(2006.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人 余 刚;吴孟秋
主权项 1. 一种计算处理室内的夹头的处理中心的方法,其特征在于,该方法包含:在基板处理前,生成一组处理前测量数据点,包括测量在其上具有薄膜的基板的厚度,该测量发生在一组角度和到该基板的几何中心的一组距离上;在该基板处理后,生成一组处理后测量数据点,包括测量该基板的厚度,该测量至少发生在该组角度和到该基板的几何中心的该组距离上;比较该组处理前测量数据点与该组处理后测量数据点,以计算出一组刻蚀深度值;生成针对该组角度的一组刻蚀曲线;从该组刻蚀曲线中推出一组半径,该组半径与第一刻蚀深度相关;生成离心曲线,该离心曲线是该组半径相对于该组角度的图形表示;及将曲线拟合方程应用于该离心曲线以计算该处理中心。
地址 美国加利福尼亚州