| 发明名称 | 一种垂直结构的发光二极管制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种垂直结构发光二极管的制作方法，包括步骤一，制作一LED芯片，所述LED芯片的制作方法包括在蓝宝石衬底上制作外延层、接触反光层，其特征在于，所述方法进一步包括：步骤二，提供一基板，并将所述LED芯片的接触反光层与所述基板键合；步骤三，去掉所述LED芯片的蓝宝石衬底；步骤四，在所述外延层上形成N电极。本发明提出用机械研磨的方法去除蓝宝石衬底的方法来制作垂直结构LED芯片。 | ||
| 申请公布号 | CN101521251A | 申请公布日期 | 2009.09.02 |
| 申请号 | CN200810033972.5 | 申请日期 | 2008.02.28 |
| 申请人 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | 发明人 | 田洪涛;江忠永 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 郭 蔚 |
| 主权项 | 1、一种垂直结构发光二极管的制作方法，包括步骤一，制作一LED芯片，所述LED芯片的制作方法包括在蓝宝石衬底上制作外延层、接触反光层，其特征在于，所述方法进一步包括：步骤二，提供一基板，并将所述LED芯片的接触反光层与所述基板键合；步骤三，去掉所述LED芯片的蓝宝石衬底；步骤四，在所述外延层上形成N电极。 | ||
| 地址 | 310018浙江省杭州市杭州经济技术开发区(下沙)10大街300号 | ||