| 发明名称 | 用于形成硅晶片的方法和设备 | ||
| 摘要 | 一种用于生长带状晶体的熔炉，具有：通道，所述通道用于在给定方向以给定速率生长带状晶体；以及分离机构，所述分离机构用于从生长的带状晶体中分离一部分。当从所述生长的带状晶体分离所述部分的同时，所述分离机构的至少部分大约在所述给定方向并且大约以所述给定速率移动。 | ||
| 申请公布号 | CN101522959A | 申请公布日期 | 2009.09.02 |
| 申请号 | CN200780037926.6 | 申请日期 | 2007.10.26 |
| 申请人 | 长青太阳能股份有限公司 | 发明人 | 莱奥·万格拉比克;布赖恩·阿奇利;罗伯特·E·雅诺赫;安德鲁·P·安塞尔莫;斯科特·赖特斯玛 |
| 分类号 | C30B15/00(2006.01)I;C30B33/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B15/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 刘建功;车 文 |
| 主权项 | 1. 一种用于生长带状晶体的熔炉，所述熔炉包括：通道，所述通道用于在给定方向以给定速率生长带状晶体；以及分离机构，所述分离机构用于从生长的带状晶体中分离一部分，在从所述生长的带状晶体中分离所述部分的同时，所述分离机构的至少部分大约在所述给定方向并且大约以所述给定速率移动。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||