| 发明名称 | 半导体器件和半导体基板切分方法 | ||
| 摘要 | 一种用于切分半导体基板(21)的方法包括：通过向基板(21)上照射激光束(L)而在基板(21)中形成改质层(K)；沿着分割线(DL)在基板(21)上形成沟槽(22，24，32，34)；向基板(21)施加力，以便在作为分割起始点的改质层(K)处分割基板(21)。沟槽(22，24，32，34)具有预定深度，从而沟槽(22，24，32，34)被布置成靠近改质层(K)，并且所述力在沟槽(22，24，32，34)处产生应力。 | ||
| 申请公布号 | CN100536108C | 申请公布日期 | 2009.09.02 |
| 申请号 | CN200610160324.7 | 申请日期 | 2006.11.16 |
| 申请人 | 株式会社电装 | 发明人 | 小邑笃;田村宗生;杉浦和彦;船户祐嗣;丸山友美;藤井哲夫;河野宪司 |
| 分类号 | H01L21/78(2006.01)I;B28D5/00(2006.01)I;B23K26/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 蔡胜利 |
| 主权项 | 1、一种用于切分半导体基板(21)的方法，包括：通过向基板(21)上照射激光束(L)而在基板(21)中形成改质层(K)；沿着分割线(DL)在基板(21)上形成沟槽(22，24，32，34)；以及向基板(21)施加力，以便在作为分割起始点的改质层(K)处分割基板(21)；其中，沟槽(22，24，32，34)具有预定深度，以使得沟槽(22，24，32，34)靠近改质层(K)设置；所述力在沟槽(22，24，32，34)处产生应力；沟槽(22，32)设置在基板(21)的第一侧；并且所述力沿基板(21)的径向朝向基板(21)的外周施加到基板(21)的第一侧。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||