用于高速和高频器件的芯片间ESD保护结构及其形成方法

摘要

本发明涉及用于包括一个或多个直接、芯片间信号发送路径的高速和高频器件的芯片间静电放电(ESD)保护结构。具体地说，本发明涉及一种结构，包括：(1)第一芯片，包括第一电路，(2)第二芯片，包括第二电路，(3)中间绝缘层，位于所述第一和第二芯片之间，其中所述第一和第二电路形成用于穿过所述中间绝缘层发送信号的信号发送路径。在所述结构中，在所述第一和所述第二芯片之间穿过所述中间绝缘层提供静电放电(ESD)保护路径，以保护信号发送路径不受ESD损坏影响。

主权项

1.一种结构，包括：第一芯片，包括第一电路和第一金属衬垫；第二芯片，包括第二电路和第二金属衬垫；中间绝缘层，位于所述第一和第二芯片之间，其中所述第一和第二电路形成用于穿过所述中间绝缘层发送信号的信号发送路径；导电互连，位于所述中间绝缘层中并与所述第一和第二金属衬垫电连接；以及静电放电保护路径，在所述第一和第二芯片之间，穿过所述中间绝缘层，所述静电放电保护路径包括所述导电互连、所述第一金属衬垫和所述第二金属衬垫，以及所述静电放电保护路径的电阻抗小于所述信号发送路径的电阻抗。