| 发明名称 | 具有成形浮动栅极的非易失性存储器 | ||
| 摘要 | 在使用浮动栅极来存储电荷的非易失性存储器中，个别浮动栅极(230)呈L形。L形浮动栅极的定向可在位线方向上交替且还可在字线方向上交替。通过使用不同图案的蚀刻掩模蚀刻导电部分以获得不同定向的浮动栅极来形成L形浮动栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN101523559A | 申请公布日期 | 2009.09.02 |
| 申请号 | CN200780030319.7 | 申请日期 | 2007.08.02 |
| 申请人 | 桑迪士克股份有限公司 | 发明人 | 尼玛·穆赫莱斯 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 刘国伟 |
| 主权项 | 1. 一种形成NAND快闪存储器的方法，其包含：形成沿第一方向串联连接在一起的多个存储器单元，所述多个存储器单元中的每一者具有浮动栅极；使所述多个存储器单元的所述浮动栅极中的浮动栅极在垂直于所述第一方向的平面中的横截面中成形为L形。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||