发明名称 应用于RFID芯片的集成天线
摘要 一种应用于RFID芯片的集成天线,包括氧化层,淀积于RFID芯片上,其厚度的范围为2微米至10微米,天线,位于氧化层上,为螺旋状单层结构,其厚度的范围为1微米至5微米,本实用新型集成天线通过增加氧化层厚度来减小RFID芯片对集成天线造成寄生耦合影响,在满足大电感值的前提下,能获得最大的等效面积、磁场中感应到的开路电动势和负载引入端电压,且使得集成天线的串联等效电阻Rs下降,可使得螺旋线圈的Q值达到最大化,从而使其能量损耗更小。
申请公布号 CN201303050Y 申请公布日期 2009.09.02
申请号 CN200820154112.2 申请日期 2008.10.16
申请人 上海集成电路研发中心有限公司 发明人 王勇;朱建军;赵宇航;陈寿面;周伟
分类号 H01Q1/38(2006.01)I;H01Q7/00(2006.01)I;H01Q1/22(2006.01)I;G06K19/077(2006.01)I 主分类号 H01Q1/38(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所 代理人 屈 蘅
主权项 1.一种应用于RFID芯片的集成天线,其特征在于包括:氧化层,淀积于RFID芯片上,其厚度的范围为2微米至10微米;天线,位于氧化层上,为螺旋状单层结构,其厚度的范围为1微米至5微米。
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