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htung bereitgestellt, die aufweist: eine Halbleiter-Fin-Struktur, wobei jeder Endteilbereich der Fin-Struktur einen Source/Drain-Bereich aufweist; eine Ladungsspeicherschicht, die zumindest einen Teilbereich der Fin-Struktur bedeckt; und eine Gate-Schicht, die zumindest einen Teilbereich der Ladungsspeicherschicht bedeckt.
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