发明名称 Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren derselben
摘要 Eine Halbleitervorrichtung ist vorgesehen mit einer ersten Verbindung (13), die entlang einer Rille eines Substrates (SB1) und auf einer Oberfläche der Rille gebildet ist und eine erste Dicke aufweist. Eine zweite Verbindung (3) ist elektrisch mit der ersten Verbindung (13) verbunden und weist eine zweite Dicke größer als die erste Dicke auf. Eine beschleunigungserfassende Einheit (EL) ist elektrisch mit der zweiten Verbindung (3) verbunden. Eine abdichtende Einheit (6S) weist einen Abschnitt gegenüber dem Substrat (SB1) auf, wobei die erste Verbindung (13) dazwischen vorgesehen ist, und umgibt die zweite Verbindung (3) und die beschleunigungserfassende Einheit (EL) auf dem Substrat (SB1). Eine Kappe (10) ist auf der abdichtenden Einheit (6S) zum Bilden eines Hohlraumes (CV) auf einem Bereich des Substrates (SB1) angeordnet, der von der abdichtenden Einheit (6S) umgeben ist. Dadurch kann ein luftdichter Hohlraum (CV) sichergestellt werden und ein elektrischer Widerstand der Verbindung, die mit der beschleunigungserfassenden Einheit (EL) verbunden ist, verringert werden.
申请公布号 DE102008046380(A1) 申请公布日期 2009.07.23
申请号 DE20081046380 申请日期 2008.09.09
申请人 MITSUBISHI ELECTRIC CORP. 发明人 SATO, KIMITOSHI;OKUMURA, MIKA;YAMAGUCHI, YASUO;HORIKAWA, MAKIO
分类号 G01P15/125;H01L23/04;H01L29/84 主分类号 G01P15/125
代理机构 代理人
主权项
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